Questões da Prova FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica

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Q569018
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569018 Engenharia Eletrônica
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.

Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Alternativas
Q569017
Engenharia Eletrônica Transistor ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569017 Engenharia Eletrônica
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.

Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Alternativas
Q569016
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569016 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão


No circuito acima, considere os componentes como sendo ideais. Ao aplicar-se na entrada do circuito um sinal senoidal da forma Vsen(ωt), o sinal de saída vo será, aproximadamente, o de:
Alternativas
Q569015
Engenharia Eletrônica Sistemas Embarcados , Arquitetura na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569015 Engenharia Eletrônica
Ao artifício pelo qual utiliza-se uma pequena memória SRAM veloz para armazenar códigos ou dados mais frequentes e uma memória grande DRAM, mais barata, para armazenar a grande quantidade de códigos ou dados que não são acessados com grande frequência, dá-se o nome de:
Alternativas
Q569014
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569014 Engenharia Eletrônica
                                  Imagem associada para resolução da questão


No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.

O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Alternativas
Respostas
31: E
32: A
33: D
34: C
35: B
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