Questões de Concurso Para trt - 5ª região (ba)

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Q782413 Engenharia Elétrica
Diferença básica entre os esquemas de aterramento TN-S e TN-C:
Alternativas
Q782412 Engenharia Eletrônica

Considere a porta lógica e sua tabela verdade:

Imagem associada para resolução da questão

Na ordem de cima para baixo, o conteúdo correspondente à coluna S da tabela verdade, está presente em

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Q782411 Engenharia Eletrônica

A expressão simplificada referente à expressão booleana Imagem associada para resolução da questão encontra-se em

Alternativas
Q782410 Engenharia Eletrônica

Considere as expressões abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

Podem ser implementadas com uma única porta NAND de duas entradas:

Alternativas
Q782409 Engenharia Eletrônica

Considere as sequências numéricas indicadas na tabela abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

Ao considerar a progressão do número hexadecimal até a posição 9C, o respectivo número da progressão binária será

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Q782408 Engenharia Eletrônica

Analise a composição do circuito de controle de potência, representado abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

Sobre a funcionalidade dos elementos que compõem o circuito, é correto afirmar:

Alternativas
Q782407 Engenharia Eletrônica

Considere o esquema abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

NÃO é característica do amplificador operacional ideal:

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Q782406 Engenharia Elétrica
Sobre as fontes chaveadas, é correto afirmar:
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Q782405 Engenharia Eletrônica
Ao analisar o circuito abaixo, considere Vγ = 0,7 V (D1 e D2) e o transformador como ideal (120 Vac − 10,5 + 10,5 Vac)
Imagem associada para resolução da questão
O valor da corrente na carga RL é, em mA, aproximadamente,
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Q782404 Engenharia Eletrônica

Considere a figura abaixo:

Imagem associada para resolução da questão

Os componentes que constituem a interface de potência do circuito são:

Alternativas
Q782403 Engenharia Eletrônica

Observe a composição do circuito abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

O tiristor DB3 entra em condução quando em seus terminais a tensão atinge, aproximadamente,

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Q782402 Engenharia Eletrônica

No circuito abaixo, considere as duas situações de teste e seus respectivos resultados.

− Teste 1: circuito com os terminais A e B conectados aos pontos 1 e 2 do componente (x), respectivamente.

− Teste 2: circuito com os terminais A e B conectados aos pontos 2 e 1 do componente (x), respectivamente.

Imagem associada para resolução da questão

Analisando os resultados obtidos, o componente (x) é

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Q782401 Engenharia Eletrônica
Sobre os SCRs, quando em condução, é correto afirmar:
Alternativas
Q782400 Engenharia Eletrônica
A transformada de Laplace da função 3e−t − e−2t é
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Q782399 Física
Ao aplicar a tensão V = 200 sen (ωt + 10°) em um circuito, verifica-se que a corrente resultante é I = 6 sen (ωt − 50°). Assim, a potência ativa nesse elemento, em Wrms, é
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Q782398 Física

Considere o circuito abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

A tensão sobre o resistor R1 = 15 Ω tem o valor de, em volts,

Alternativas
Q782397 Física

Considere o circuito abaixo. 

                      Imagem associada para resolução da questão

Os valores da tensão equivalente Thevenin − ETh e da resistência equivalente Thevenin − RTh, entre os pontos A e B, são apresentados em 

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Q782396 Física
O transistor do circuito abaixo é de silício, apresenta β = 100 e VBE = 0,7V. 
                     Imagem associada para resolução da questão
A tensão VCE, no transistor é, aproximadamente, em volts rms,
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Q782395 Física
Considere as tensões presentes no circuito: VR = 24.sen 377.t [V] e VC = 32.sen (377.t − 90°) [V].
Imagem associada para resolução da questão
O valor da tensão fornecida pela fonte é, aproximadamente, em volts rms,
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Q782394 Biblioteconomia
Analise as afirmativas abaixo. I. O controle da temperatura e da umidade relativa do ar é de importância fundamental na preservação dos acervos de bibliotecas, pois níveis inaceitáveis desses fatores contribuem sensivelmente para a desintegração dos materiais. II. O calor acelera a deterioração: a velocidade da maioria das reações químicas, inclusive a deterioração, é aproximadamente dobrada a cada aumento de temperatura de 10 °C. III. Os altos níveis de umidade relativa do ar fornecem o meio necessário para promover reações químicas danosas nos materiais e, combinados com as baixas temperaturas, encorajam a proliferação de mofo e a atividade de insetos. IV. A umidade relativa extremamente baixa, que costuma ocorrer no inverno em prédios com aquecimento central, pode levar ao ressecamento e ao aumento da fragilidade de certos materiais. Está correto o que se afirma em
Alternativas
Respostas
1141: C
1142: B
1143: D
1144: B
1145: A
1146: E
1147: C
1148: A
1149: C
1150: E
1151: B
1152: D
1153: A
1154: C
1155: B
1156: D
1157: A
1158: E
1159: C
1160: A