Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica em eletroeletrônica em eletroeletrônica
Foram encontradas 91 questões
Ano: 2011
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica - 2011 |
Q431553
Eletroeletrônica
No circuito da figura acima, considerando-se os amplifi-cadores operacionais ideais, o valor da corrente I X será, em mA,
Ano: 2011
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica - 2011 |
Q431552
Eletroeletrônica
No circuito da figura acima, o sinal em onda quadrada aplicado ao circuito de base do transistor bipolar é grande o suficiente para fazer com que o transistor opere apenas em corte ou saturação.
Tal circuito é uma fonte
Tal circuito é uma fonte
Ano: 2011
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica - 2011 |
Q431550
Eletroeletrônica
Na figura acima, uma fonte de tensão alternada é conectada a uma ponte a diodo que alimenta uma carga puramente resistiva. A forma de onda da tensão da Fonte CA (Ventrada ) também é mostrada na figura, e os diodos são considerados ideais.
Qual a forma de onda da tensão de saída?
Qual a forma de onda da tensão de saída?
Ano: 2005
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-GO
Prova:
CESPE - 2005 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade |
Q411643
Eletroeletrônica
O estudo, o desenvolvimento e as aplicações de dispositivos sensíveis à luz constituem o segmento conhecido como opto-eletrônica. Acerca desses dispositivos, assinale a opção incorreta.
Ano: 2005
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-GO
Prova:
CESPE - 2005 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade |
Q411639
Eletroeletrônica
O dispositivo denominado UJT
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2010 - ABIN - Agente Técnico de Inteligência – Área de Eletrônica |
Q184165
Eletroeletrônica
Texto associado
Com relação às tecnologias de microeletrônica utilizadas na
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.
Os dispositivos TTL padrão são fabricados com uma tecnologia que utiliza transistores bipolares em conjunto com transistores do tipo MOS; por isso, é desnecessário o uso de resistores nesse tipo de porta lógica.
Ano: 2011
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica |
Q182399
Eletroeletrônica
O circuito da figura acima usa amplificadores operacionais, considerados ideais. Com base nos elementos do circuito, o valor da resistência do potenciômetro
para que a tensão de saída 
seja nula, é
Ano: 2011
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica |
Q182398
Eletroeletrônica
O estágio de ganho do amplificador, mostrado na figura acima, utiliza uma fonte de tensão controlada. Com base no circuito, considere as afirmativas a seguir.
I - Para que o ganho de tensão
seja, aproximadamente, igual ao ganho A fornecido pelo estágio de ganho, as resistências 
devem ser muito maiores do que 
, respectivamente. II - Sendo Pg a potência fornecida pela fonte, Po a potência entregue à carga,
correntes, 
III - Uma vez que o estágio de ganho tenha como elemento base um transistor bipolar de junção, as suas capacitâncias internas limitam o ganho em baixas frequências.
Está correto APENAS o que se afirma em
Ano: 2011
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica |
Q182397
Eletroeletrônica
O diodo zener mostrado no circuito da figura acima, é considerado ideal e tem tensão nominal de 16 V. Com base nos valores dos elementos do circuito, qual o valor, em ampères, da corrente I sobre o diodo zener?
Ano: 2024
Banca:
IV - UFG
Órgão:
IF-SE
Prova:
IV - UFG - 2024 - IF-SE - Professor EBTT - Eletrotécnica |
Q2573752
Eletroeletrônica
Considerando a aproximação de um diodo ideal, a queda de
tensão existente em um diodo de silício, polarizado
diretamente, é de
Q1000390
Eletroeletrônica
Considere o seguinte circuito formado por uma chave CH1, um diodo
ideal D1 e uma impedância Z conforme ilustrado na FIGURA A:
FIGURA A
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características LC ideal, Z = Xl - Xc, onde a capacitânciada carga é dada por 20 uF (Cz = 200 uF) e a indutância é dada por 80 mH (Lz= 80mF).
Considere Vln formado por um banco de 2 baterias idênticas Vb = 12V, em série.
Calcule
O valor da corrente de pico LLmax no indutor Lz para condições iniciais nulas.
FIGURA A
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características LC ideal, Z = Xl - Xc, onde a capacitânciada carga é dada por 20 uF (Cz = 200 uF) e a indutância é dada por 80 mH (Lz= 80mF).
Considere Vln formado por um banco de 2 baterias idênticas Vb = 12V, em série.
Calcule
O valor da corrente de pico LLmax no indutor Lz para condições iniciais nulas.
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