Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica em eletrônica
Foram encontradas 305 questões
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818102
Eletrônica
Considere um diodo de silício que possui uma corrente de saturação de
5nA e uma corrente de fuga da superfície de 15nA quando a tensão
reversa aplicada sobre ele é de 20V.
Qual é a corrente reversa total quando a tensão reversa for dobrada para
40V?
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818101
Eletrônica
Considere o circuito eletrônico representado pela Figura 6.
Assinale a única alternativa correta que melhor represente a equação do sinal de saída “Vo”.
Assinale a única alternativa correta que melhor represente a equação do sinal de saída “Vo”.
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818098
Eletrônica
Considere o circuito eletrônico representado pela Figura 4.
Assinale a única alternativa correta que melhor represente a equação do
sinal de saída “es”.
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818097
Eletrônica
Selecione a alternativa que complete corretamente a frase, considere o
circuito eletrônico representado pela Figura 3.
Trata-se de um circuito com amplificador operacional do tipo _________________.
Trata-se de um circuito com amplificador operacional do tipo _________________.
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818096
Eletrônica
Selecione a alternativa que complete corretamente a frase, considere o
circuito eletrônico representado pela Figura 2.
Trata-se de um circuito amplificador operacional do tipo _________________.
Trata-se de um circuito amplificador operacional do tipo _________________.
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818092
Eletrônica
Selecione a alternativa que complete corretamente a frase, considerando
um transistor bipolar genérico:
O ganho de corrente é sempre a razão da __________________.
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818091
Eletrônica
Para um transistor bipolar cujo o ganho de corrente é igual a 200 e a
corrente de coletor é igual a 100mA. Qual o valor da corrente de Base?
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818090
Eletrônica
Considerando os diodos D1, D2, D3 e D4 como sendo “ideais” e os
diagramas eletrônico representado pelas “Figuras 1” e “Figura 2”. Dados:
R1 = 300Ω
VLED=1,2V (Tensão típica de trabalho LED genérico)
B1=7,2V
Assinale a única alternativa correta:
Assinale a única alternativa correta:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico em Eletroeletrônica |
Q805908
Eletrônica
Considere um conversor D/A unipolar de 8 bits que apresenta tensão de saída igual a 0,6 V para a entrada 14h.
A resolução e a tensão de fundo de escala desse CDA são, respectivamente, iguais a:
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I |
Q797751
Eletrônica
No circuito a seguir, os três amplificadores operacionais ideais são polarizados de forma tal que suas tensões de
saturação são ± 20 VCC. Os demais componentes do circuito são resistores, sendo um deles ajustável (o Rx).
Qual é a condição limite para o ajuste do Rx, de modo que a tensão de saída não sature?
Qual é a condição limite para o ajuste do Rx, de modo que a tensão de saída não sature?
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I |
Q797746
Eletrônica
Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos,
identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas:
( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são
usados em aplicações envolvendo altas frequências.
( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um
diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio.
( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando
assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor.
( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa
corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas
frequências quando comparados com os transistores bipolares.
( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I |
Q797744
Eletrônica
Numere os parênteses, relacionando as figuras com os respectivos semicondutores. 1. Diodo Zener. 2. DIAC. 3. TRIAC. 4. Diodo. 5. SCR. 6. Diodo Shockley.
Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta, da esquerda para a direita.
Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta, da esquerda para a direita.
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I |
Q797743
Eletrônica
Sobre o transistor bipolar da figura ao lado, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas:
( ) A configuração apresentada é conhecida como base comum. ( ) O transistor encontra-se na zona ativa. ( ) O transistor encontra-se na zona de saturação. ( ) A configuração apresentada é conhecida como emissor comum. ( ) A corrente de coletor é igual a 10 mA.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I |
Q797740
Eletrônica
Assinale a alternativa que apresenta corretamente a resolução de uma conversão A/D em um multiteste com quatro
algarismos significativos na base decimal (d = 4).
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I |
Q797739
Eletrônica
Considere os seguintes semicondutores: 1. JFET Canal N. 2. Transistor NPN. 3. FET Canal N. 4. MOSFET Canal N. 5. Transistor PNP. 6. MOSFET Canal P. Com relação às simbologias adotadas em desenhos eletrônicos analógicos, numere os parênteses, relacionando as figuras com os respectivos semicondutores.
Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta dos parênteses, da esquerda para a direita.
Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta dos parênteses, da esquerda para a direita.
Ano: 2017
Banca:
COMPERVE - UFRN
Órgão:
UFRN
Prova:
COMPERVE - 2017 - UFRN - Engenheiro - Neuroengenharia |
Q788614
Eletrônica
Alguns processamentos de sinais analógicos podem ser relizados mediante a composicão de um ou mais dos circuitos representados a seguir.
As funções dos circuitos I, II e III são:
Q779139
Eletrônica
Julgue o próximo item no que se refere a instrumentação e técnicas de medidas.
Um amplificador de instrumentação típico apresenta
tensão de saída Vo = K·(Va-Vb), em que Va e Vb são tensões
de entrada e K é uma constante.
Q779130
Eletrônica
A respeito de conversão eletromecânica de energia e máquinas elétricas, julgue o item subsecutivo.
Em máquinas rotativas, o conjugado independe das
correntes elétricas do estator ou do rotor.
Q779128
Eletrônica
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
MOSFETs são transistores que, quando operados como
chave em circuitos de eletrônica de potência,
apresentam resistência de condução muito pequena.
Q779127
Eletrônica
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
Transistores bipolares de potência caracterizam-se por
apresentar ganho β superior a 1.000, por isso são
chamados de transistores de potência.
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