Questões de Eletrônica para Concurso

Q2573783

Ano: 2024 Banca: IV - UFG Órgão: IF-SE Prova: IV - UFG - 2024 - IF-SE - Professor EBTT - Eletrônica |

Q2573783 Eletrônica

São vantagens da utilização dos sistemas em um chip (SoC):

A

otimização de espaço, misto analógico/digital, flexibilidade.

B

eficiência energética, desempenho, flexibilidade.

C

otimização de espaço, eficiência energética, desempenho.

D

desempenho, eficiência energética, misto analógico/digital.

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Q2573782

Ano: 2024 Banca: IV - UFG Órgão: IF-SE Prova: IV - UFG - 2024 - IF-SE - Professor EBTT - Eletrônica |

Q2573782 Eletrônica

São exemplos de dispositivo lógico programável em campo baseados em modelos de circuitos integrados:

A

ASIC, VLSI, FPGA.

B

PLD, ASIC, VLSI.

C

CPLD, VLSI, FPGA.

D

PLD, CPLD, FPGA.

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Q2573769

Ano: 2024 Banca: IV - UFG Órgão: IF-SE Prova: IV - UFG - 2024 - IF-SE - Professor EBTT - Eletrônica |

Q2573769 Eletrônica

Um capacitor de 200 nF ligado em série com um capacitor de 300 nF resulta em uma capacitância equivalente igual a

A

100 nF.

B

120 nF.

C

250 nF.

D

500 nF.

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Q2573755

Ano: 2024 Banca: IV - UFG Órgão: IF-SE Prova: IV - UFG - 2024 - IF-SE - Professor EBTT - Eletrotécnica |

Q2573755 Eletrônica

Considere um conversor digital/analógico (D/A) de 6 bits, com tensão de referência de 5 volts. Qual é o valor aproximado da tensão de saída para uma entrada digital 100110?

A

2,5 V.

B

3,0 V.

C

3,5 V.

D

4,0 V.

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Q2538201

Ano: 2024 Banca: FUNDATEC Órgão: Prefeitura de Passo Fundo - RS Prova: FUNDATEC - 2024 - Prefeitura de Passo Fundo - RS - Eletrotécnico |

Q2538201 Eletrônica

É correto afirmar que, na região ativa, o transistor:

A

Não conduz corrente, sendo ideal para aplicações de desligamento em circuitos.

B

Atua como um interruptor fechado, conduzindo corrente máxima independentemente do sinal de entrada.

C

Funciona como um amplificador de sinais fracos, no qual variações no sinal de entrada produzem variações proporcionais no sinal de saída.

D

Sempre conduz corrente máxima, levando à ruptura se não for devidamente controlado.

E

Impede a passagem de qualquer sinal, sendo usado principalmente em circuitos de proteção.

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Q2523777

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |

Q2523777 Eletrônica

Um dos maiores problemas da imagem SAR é a ocorrência do efeito Speckle, o qual, normalmente, dificulta a interpretação visual e requer técnicas para o processamento digital.

A respeito do Speckle e sua natureza, assinale a afirmativa correta.

A

O Speckle existente em imagens SAR é decorrente da soma coerente de muitos espalhadores elementares dentro de uma célula de resolução.

B

O Speckle só é encontrado em imagens geradas pelos sensores SAR.

C

O Speckle é estritamente um ruído, similar por exemplo, a um ruído térmico dentro do sensor.

D

Devido à própria natureza do Speckle, regiões muito homogêneas do terreno em termos de cobertura do solo e rugosidade serão menos afetadas pelo efeito.

E

Entre pixels vizinhos, pode se considerar que não há correlação em termos de Speckle.

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Q2523776

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |

Q2523776 Eletrônica

A melhora da resolução espacial na direção do deslocamento da antena constitui uma das principais vantagens do SAR. Considere um SAR sobrevoando uma região.

Sobre a resolução espacial ao procurar identificar alvos dessa região, assinale a afirmativa correta.

A

A resolução espacial em azimute em um SAR depende da largura do feixe da antena e da distância da antena ao alvo.

B

A resolução espacial em azimute em um SAR depende da frequência base da radiação emitida pela antena.

C

A resolução espacial em azimute em um SAR depende da banda de frequência do sinal modulado emitido pela antena.

D

O valor da resolução espacial em azimute em um SAR depende exclusivamente do tamanho da antena na dimensão da direção do deslocamento.

E

O valor da resolução espacial em azimute em um SAR depende do tamanho da antena na dimensão da direção do deslocamento e da distância ao alvo.

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Q2523775

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |

Q2523775 Eletrônica

Considere uma região totalmente plana que foi levantada por um SAR para geração de uma imagem. A resolução desse sistema SAR na direção do alcance inclinado (slant range) é de 2 m.

Após o processamento para transformar a geometria dessa imagem do alcance inclinado (slant range) para o alcance no terreno (ground range), o valor da resolução espacial no terreno, em metros, em um ponto em que o ângulo de incidência é 30º é

Caso necessário, considere √2 = 1,41 e √3 = 1,73.

A

1,0.

B

2,0.

C

2,3.

D

2,8.

E

4,0.

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Q2523533

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Instrumentação Científica para Projetos Espaciais |

Q2523533 Eletrônica

Ao utilizar um osciloscópio para visualizar um sinal de tensão triangular em seu circuito, um engenheiro configurou o equipamento da seguinte forma: acoplamento AC, modo automático, escala vertical de 1V/div, escala horizontal de 1ms/div e atenuação da ponta de prova 10x.

Ao realizar a medida, ele se deparou com um sinal que não ficava fixo na tela do osciloscópio, ou seja, a forma de onda apresentada na tela não estava sincronizada, pois formas de onda sucessivas eram disparadas em pontos distintos da forma de onda.

Para corrigir esse problema o engenheiro deve

A

alterar o acoplamento de AC para DC.

B

alterar o modo do equipamento de normal para automático.

C

ajustar as escalas vertical e horizontal.

D

fazer o ajuste de compensação da ponta de prova.

E

ajustar o trigger do equipamento.

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Q2516026

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516026 Eletrônica

Quatro módulos de uma mesma placa eletrônica foram testados e os resultados estão listados a seguir.

a. Modulo 01; quantidade de falhas: 3; horas de teste: 2500.
b. Modulo 02; quantidade de falhas: 7; horas de teste: 2500.
c. Modulo 03; quantidade de falhas: 5; horas de teste: 2000.
d. Modulo 04; quantidade de falhas: 4; horas de teste: 1000.

Considere que cada placa é composta por um módulo de cada tipo, que as falhas de cada módulo são estatisticamente independentes e que os módulos da placa eletrônica podem ser representados como um sistema em série.
Com base nessas informações, estima-se que o MTTF (Tempo Médio até a Falha) e o MTBF (Média de Tempo Entre Falhas) da placa eletrônica sejam, respectivamente,

A

400 e 460 horas.

B

460 e 400 horas.

C

200 e 230 horas.

D

230 e 400 horas.

E

400 e 230 horas.

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Q2516025

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516025 Eletrônica

Para atender às normas de um projeto eletrônico, estão disponíveis os seguintes resistores para compor o circuito:

a. Resistor 100Ω, tolerância 1%, 200ppm / ºC, encapsulamento 0603, potência: 200 mW, P/N: ERJ-P03F1000V;
b. Resistor 100Ω, tolerância 5%, 250ppm / ºC, encapsulamento 0201, potência: 50mW, P/N: CR0201-JW-101GLF.

Considerando as normas que orientam as boas práticas em confiabilidade de circuitos eletrônicos, analise as afirmativas a seguir.

I. Para garantir o correto funcionamento do circuito, a variação de resistência em condições usuais de temperatura (25ºC) não pode ultrapassar o valor de 10Ω em relação ao valor nominal; portanto, ambos os componentes são adequados para o projeto.
II. Ambos os componentes são adequados para operar com correntes de até 20mA.
III. Após o ajuste do circuito, o resistor não pode apresentar um aumento superior a 2Ω, para uma temperatura de 75ºC; portanto, ambos os componentes são adequados para o projeto.

Está correto o que se afirma em

A

I, apenas.

B

I e II, apenas.

C

I e III, apenas.

D

II e III, apenas.

E

I, II e III.

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Q2516024

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516024 Eletrônica

A aplicação de metodologias, como a análise de confiabilidade de circuitos eletrônicos, desempenha um papel fundamental ao ajudar os engenheiros a detectarem e a reduzir possíveis pontos de falha em equipamentos e dispositivos.

Em relação ao tema, analise as afirmativas a seguir.
I. Um circuito é classificado como tendo baixa confiabilidade quando existe uma alta probabilidade de falhas ocorrerem dentro de um intervalo de tempo específico.
II. Uma medida de confiabilidade da produção de circuitos eletrônicos consiste na análise de um lote específico, submetendo uma amostra a testes de uso ao longo de um período determinado, e calculando a taxa de falhas por unidade de tempo.
III. MTBF (Média de Tempo Entre Falhas) é uma métrica de confiabilidade que mede o tempo exato que leva para um sistema falhar, fornecendo uma previsão precisa de quando as falhas ocorrerão durante sua vida útil operacional.

Está correto o que se afirma em

A

I, apenas.

B

I e II, apenas.

C

I e III, apenas.

D

II e III, apenas.

E

I, II e III.

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Q2516023

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516023 Eletrônica

Um diagrama de Nyquist mostra, no plano complexo, as informações de ganho e fase de uma função de transferência em função da frequência. Nesse contexto, e sabendo ainda que determinado circuito com um amplificador operacional realimentado positivamente comporta-se como um oscilador, o critério de Barkhausen para a oscilação será satisfeito se o módulo do ganho de malha direta for

A

menor que a unidade, sempre.

B

igual à unidade, quando a fase for igual a 180 graus.

C

igual à unidade, quando a fase for igual a 90 graus.

D

maior que a unidade, quando a fase for igual a 180 graus.

E

invariante com a frequência.

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Q2516022

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516022 Eletrônica

O projeto de fontes de alimentação de corrente contínua pode ser dividido em etapas, tais como a retificação e a regulação. É comum inserir um estágio adicional de filtragem composto por um resistor e um capacitor, após o capacitor de filtragem original.
Tal inserção tem como objetivo principal

A

elevar o nível DC de saída.

B

ceifar a excursão negativa do sinal AC da entrada.

C

reduzir o ripple da tensão de saída.

D

diminuir a complexidade do sistema.

E

reduzir a dissipação energética na fonte de alimentação.

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Q2516021

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516021 Eletrônica

Deseja-se realizar uma avaliação preliminar do funcionamento de um conversor A/D. Considere que o conversor é de 12 bits, com uma resolução de 4mV, sendo o bit mais significativo reservado para a sinalização, dado que a saída em hexadecimal do conversor foi '0C8' e que o conversor A/D está operando corretamente.
O valor esperado da tensão na entrada do conversor e o valor aproximado da maior tensão positiva que o conversor pode representar estão, respectivamente, entre

A

0,2V e 4,1V.

B

0,4V e 8,2V.

C

0,4V e 16,4V.

D

0,8V e 8,2V.

E

0,8V e 16,4V.

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Q2516017

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516017 Eletrônica

Ao se deparar com um componente desconhecido, um engenheiro fez as seguintes observações:

• o componente possui 3 três terminais externos, que foram denominados A, B e C;
• com o terminal C desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais A e B não faz circular corrente pelo componente;
• com o terminal B desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais A e C não faz circular corrente pelo componente;
• com o terminal A desconectado, aplicar uma diferença de potencial (positiva ou negativa) entre os terminais B e C não faz circular corrente pelo dispositivo;
• enquanto aplicada uma determinada tensão negativa no terminal A, uma pequena diferença de potencial aplicada entre os terminais B e C faz surgir uma corrente entre esses dois terminais.

Com base nessas observações, o componente analisado pelo engenheiro é o

A

FET.

B

MOSFET canal n.

C

MOSFET canal p.

D

TBJ do tipo PNP;

E

TBJ do tipo NPN;

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Q2516013

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Desenvolvimento de Sistemas Eletrônicos Digitais |

Q2516013 Eletrônica

Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, dentre outros.
Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.

A

Os semicondutores puros são bons condutores de eletricidade em temperatura ambiente (23ºC).

B

A dopagem de semicondutores com impurezas das famílias 3A ou 5A da tabela periódica reduz a condutividade elétrica.

C

Um material do tipo p pode ser obtido a partir da inserção de impurezas da família 3A da tabela periódica em um semicondutor puro.

D

Em semicondutores do tipo n há a prevalência de “buracos” como portadores de carga.

E

Ao se juntar um material do tipo p com um do tipo n é formada uma região de depleção, na qual o campo elétrico é nulo.

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Q2515761

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |

Q2515761 Eletrônica

O diodo é o mais simples dos dispositivos semicondutores, contudo desempenha um importante papel em sistemas eletrônicos. A compreensão da física que governa o comportamento deste dispositivo permite o desenvolvimento de modelos para uso em projetos e análise de circuitos eletrônicos.
Com base nisso, analise os itens a seguir.
I. Quando a junção PN de um diodo é polarizada de forma reversa ainda assim existe uma corrente que flui através do dispositivo, chamada corrente de saturação reversa.
II. Diodos emissores de luz (LEDs) geram luz pela descarga de elétrons com alto nível de energia que colidem com uma camada de fósforo excitando seus átomos, que por sua vez emitem fótons no espectro visível quando retornam a níveis energéticos menores.
III. O diodo Zener pode ser modelado como uma fonte de corrente em série com uma resistência dinâmica, que varia com a tensão aplicada e temperatura do dispositivo.
Está correto o que se apresenta em:

A

I, apenas.

B

I e II, apenas.

C

I e III, apenas.

D

II e III, apenas.

E

I, II e III.

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Q2514415

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |

Q2514415 Eletrônica

O PWM é uma modulação amplamente utilizada em diversas aplicações, como controle de velocidade de motores e servomotores, controle de carga de baterias em sistema solares, entre outras.
Sobre o PWM, assinale a afirmativa correta.

A

O período do sinal PWM guarda relação com a frequência do sinal modulante.

B

A amplitude dos pulsos do sinal PWM guarda relação com a amplitude do sinal modulante.

C

A posição do pulso do sinal PWM em cada período guarda relação com a amplitude do sinal modulante.

D

O nível médio do sinal PWM é proporcional à taxa de trabalho (duty cycle).

E

A largura de banda do sinal PWM ideal é finita e bem definida.

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Q2514414

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |

Q2514414 Eletrônica

Ao selecionar um MOSFET de potência para atuar como chave em um circuito, deve-se atentar para que seus parâmetros garantam o funcionamento desejado e minimizem a dissipação de energia no transistor.
Em relação aos parâmetros dos MOSFET de potência na situação acima mencionada, assinale a afirmativa correta.

A

As perdas devido aos tempos de comutação só são relevantes na transição de atuação do MOSFET como chave fechada para atuação como chave aberta.

B

A carga total de gate (Q_g) influencia diretamente à dissipação de energia durante o tempo em que o MOSFET está atuando como uma chave fechada.

C

Quanto maior a capacitância de saída (C_oss), menor são as perdas por comutação.

D

A tensão de bloqueio (V_DS(max)) afeta diretamente a eficiência energética do MOSFET.

E

A tensão de limiar (V_GS(th)) não afeta consideravelmente a eficiência energética do MOSFET.

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A OPORTUNIDADE ESTÁ ESCAPANDO!

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