Questões de Concurso Comentadas sobre transistores em eletrônica

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Q3262026 Eletrônica
Na eletrônica existe um dispositivo semicondutor muito comum utilizado em diversas aplicações, tanto para amplificação de sinais quanto para comutação. Determinado profissional, durante a manutenção de um equipamento eletrônico, observou a existência de um desses dispositivos ligados em série com a bobina de um relé de acionamento de uma pequena carga. Diante do exposto, assinale, a seguir, o nome desse dispositivo, assim como sua função, respectivamente.
Alternativas
Q3012491 Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a afirmativa correta entre as alternativas a seguir.
Alternativas
Q2538201 Eletrônica
É correto afirmar que, na região ativa, o transistor: 
Alternativas
Q2514381 Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações. Sobre as configurações de amplificadores de estágio simples utilizando TBJ, analise as afirmativas a seguir.

I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.

Está correto o que se afirma em 
Alternativas
Q2364387 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Alternativas
Q2364386 Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Alternativas
Q2364385 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.


A mobilidade de portadores em materiais semicondutores depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.

Alternativas
Q2364384 Eletrônica

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.



Os semicondutores do tipo silício puro são classificados como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da indústria de circuitos microeletrônicos.

Alternativas
Q2325608 Eletrônica
Um fio metálico é percorrido por uma corrente elétrica constante. Sabe-se que uma carga elétrica de 32 C atravessa uma seção transversal do fio a cada 4 S. Sendo e = -1,6 x 10-19C a carga elementar de um elétron, a intensidade da corrente elétrica percorrendo o fio é
Alternativas
Q2325607 Eletrônica
A capacitância entre duas placas paralelas de área S separadas por uma distância d com material dielétrico com permissividade Є, pode ser calculada usando a seguinte equação: C = ЄS / d . Se a tensão aplicada a esse capacitor de placas paralelas dobrar de valor, o que acontece com a carga armazenada nessa capacitância?
Alternativas
Q2325606 Eletrônica
Duas cargas pontuais positivas  Q1 e Q2 estão afastadas uma da outra a uma distância d. Aplicando a lei de Coulomb nessas circunstâncias, as cargas Q1 e Q2 estão sujeitas a uma força de repulsão F = 40 N. Se a distância entre as cargas for reduzida à metade de d, o que acontece com a força de repulsão entre as cargas Q1 e Q2?
Alternativas
Q2323266 Eletrônica
Um transistor tem quatro regiões de operações distintas. Assinale a alternativa que NÃO corresponde a uma dessas regiões.
Alternativas
Q2279014 Eletrônica

Os diodos e transistores são dispositivos semicondutores com propriedades elétricas distintas.


Assinale a alternativa que descreve corretamente as aplicações de diodos e transistores.

Alternativas
Q2226736 Eletrônica
A respeito de sistemas de transmissão, redes de comunicação e modelo OSI, assinale a alternativa correta.
Alternativas
Q953354 Eletrônica

Com relação à eletrônica de potência, julgue o item a seguir.


O sinal PWM é utilizado no acionamento de chaves transistorizadas e a tensão AC produzida com esse chaveamento é uma média da área do pulso dos intervalos do ciclo denominada de tempo de “desligado”.

Alternativas
Q953331 Eletrônica

Com relação à eletrônica analógica, julgue o próximo item.


Na análise de circuitos com transistores lineares, é utilizado o teorema da superposição, que realiza a análise do efeito da polarização por corrente alternada em separado da fonte de frequência de sinal contínuo ou amplificado.

Alternativas
Q953329 Eletrônica

Com relação à eletrônica analógica, julgue o próximo item.


A regulação de tensão de fontes pode ser implementada por meio de transistores nas variantes regulador de tensão tipo série e regulador de tensão tipo paralelo. Ambos utilizam uma tensão de referência, que pode ser provida por meio de um diodo Zener.

Alternativas
Q2774848 Eletrônica

Um transistor de junção bipolar (TJB) pode ser polarizado para operar em três regiões. Em aplicações de chaveamento, um estado da chave corresponde à operação do TJB em uma região e no outro estado o TJB opera em outra região. As regiões em que deve operar o TJB para ser usado nesse tipo de aplicação são

Alternativas
Q797746 Eletrônica
Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas: ( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são usados em aplicações envolvendo altas frequências. ( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio. ( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor. ( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas frequências quando comparados com os transistores bipolares. ( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução. Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
Alternativas
Ano: 2017 Banca: Quadrix Órgão: SEDF Prova: Quadrix - 2017 - SEDF - Professor - Eletrônica |
Q779128 Eletrônica

Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.

MOSFETs são transistores que, quando operados como chave em circuitos de eletrônica de potência, apresentam resistência de condução muito pequena.

Alternativas
Respostas
1: C
2: C
3: C
4: B
5: E
6: C
7: C
8: E
9: E
10: C
11: B
12: E
13: B
14: B
15: E
16: E
17: C
18: B
19: A
20: C