Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício
do tipo N consiste em dopar um material semicondutor
intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada
quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam
substituídos por átomos de elementos químicos adequados
para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse
processo de modificação do semicondutor intrínseco permite
gerar um material em que os portadores majoritários são os
elétrons.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma
junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o
potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o
substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo
N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como
semicondutores do tipo P.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no
emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser
fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de
dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa
importante por favorecer a minimização da recombinação dos
portadores majoritários e minoritários na base.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região
ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja
submetida à polarização reversa, e a junção entre base e
emissor seja polarizada diretamente.
Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.
Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a
capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas
placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá
se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois
a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.
A figura a seguir apresenta um dispositivo de disparo com o uso do SCR.
Sabendo-se que a tensão e a corrente de gatilho são,
respectivamente, 2,0 V e 100 mA, o resistor R será de
O conversor CC-CC está operando no modo contínuo de corrente, com o transistor Q1 operando como chave, na frequência de chaveamento f, conforme mostra a figura abaixo. Leia as proposições.
I. Neste modo de operação, a tensão de saída é sempre menor ou igual a tensão de entrada.
II. A cada vez que o transistor Q1 conduz, energia da fonte de entrada é transferida ao capacitor C1, e quando Q1 abre, a energia da entrada é transferida ao indutor L1.
III. A corrente de carga no indutor é não-linear, dado pela equação VL(t) = L di(t)/dt
IV. A corrente no capacitor C1 é tal que a tensão sobre C1 tende a permanece relativamente constante, dado por ic(t) = C dv/dt
Assinale a alternativa correta:
Dado o circuito abaixo contendo um amplificador com o transistor Q1, que tem uma tensão base-emissor de 0,7 V. Os resistores R1 a R4 tem, respectivamente, os seguintes valores: 8,4kΩ, 1,6 kΩ, 100Ω e 1kΩ. A tensão de entrada da fonte é de 10V. Sobre o comportamento deste circuito, leia as proposições abaixo.
I. A corrente no Resistor R3 depende do valor da resistência ali colocada.
II. Esse circuito possui uma configuração do transistor como fonte de corrente.
III. A tensão sobre o Resistor R4 é 0,90V
IV. O funcionamento desse circuito independe dos dados de fabricação do transistor Q1.
Assinale a alternativa correta:
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação 
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 . Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
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