Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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No circuito da Figura 4 abaixo, a tensão zener é de 9 V, a mínima corrente reversa zener é de 1 mA, a tensão limiar de condução dos diodos da ponte retificadora é de 0,7 V e a capacitância é de 100 µF. Para que a fonte tenha a capacidade de fornecer uma corrente de carga máxima de 65 mA, considerando uma tolerância teórica de 0% para o resistor R1, o valor máximo projetado para a resistência desse resistor deve ser:
O esquema abaixo representa um retificador monofásico de meia onda controlado, que usa um SCR (retificador controlado de silício), no qual todos os elementos do circuito são ideais.
O circuito de disparo é feito por um divisor de tensão entre o resistor R1 e o resistor variável R2 que fornece a tensão de disparo ao terminal G do SCR.
Considere que o ângulo de disparo seja medido a partir do ponto em que a senoide de alimentação passa pelo zero (corta o eixo horizontal), com inclinação crescente (positiva).
Nessas condições, qual é o valor limite máximo, em graus, do ângulo de disparo permitido com esse circuito?
Dados
√2 = 1,4
√3 = 1,7
π = 3,14
O retificador trifásico de meia onda, sem filtro, mostrado acima, alimenta uma carga resistiva de 10 Ω que consome uma corrente média de 5 A. É composto de um transformador, mostrado de forma simplificada, ligado em triângulo-estrela com alimentação primária em 220 V eficazes de linha, 60 Hz e tensão eficaz secundária Vs, de fase, e de três diodos iguais, além da carga R.
Considere todos os elementos do circuito como ideais.
Qual o valor eficaz, em Volts, da tensão Vs, de fase, do secundário do transformador usado no circuito?
Dados
√2 = 1,4
√3 = 1,7
π = 3,14
Um retificador monofásico, de onda completa, com transformador de tomada central, center tape, com primário ligado à rede de 60 Hz e com filtro capacitivo C alimenta uma carga resistiva R. Os diodos usados no circuito estão dimensionados muito acima das necessidades exigidas pelo circuito e, dentre outras características, suportam corrente de surto e tensão de pico inverso com valores elevados.
Considere todos os elementos do circuito como sendo ideais.
Que medidas devem ser tomadas por um técnico de manutenção, com o objetivo de reduzir a amplitude da ondulação na tensão desenvolvida na carga?
O circuito representado acima é um retificador monofásico de meia onda, sem filtro, após a manutenção, alimentado por um transformador cujo enrolamento secundário apresenta a tensão eficaz de 12 V. Este circuito está recebendo no enrolamento primário a tensão eficaz de 220 V da rede local de 60 Hz. A carga está representada pelo resistor R, cujo valor em Ohms não é necessário para os cálculos solicitados. Considere os elementos do circuito como sendo ideais.
Na manutenção, foi necessário substituir o único diodo do circuito original, que estava danificado, por dois diodos iguais ligados em série e que suportassem a mesma corrente exigida pelo circuito original.
A tensão de pico inverso, Vpi, que cada um dos dois diodos usados na manutenção suporta permite o funcionamento normal do circuito, isto é, conforme ocorria no circuito original.
Dessa forma, a tensão de pico inverso, Vpi, em volts, é tal que
Dados√2 = 1,4
√3 = 1,7
π = 3,14
O valor da tensão média, em V, sobre a carga para um ângulo de disparo do SCR de 90º é, aproximadamente, igual a
Atente à figura a seguir.
Adote VBE=0,7 V e IE=IC.
Admitindo-se que a resistência do LDR seja igual a
zero, o valor correto da tensão entre coletor e emissor
do transistor Q2, VCE é
A respeito do elemento sensor e do elemento de condicionamento de sinal, normalmente necessários em um sistema de controle digital, julgue o item subsequente.
Um amplificador de instrumentação (ou amplificador
instrumental) possui alta relação de rejeição de modo comum.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício
do tipo N consiste em dopar um material semicondutor
intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada
quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam
substituídos por átomos de elementos químicos adequados
para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse
processo de modificação do semicondutor intrínseco permite
gerar um material em que os portadores majoritários são os
elétrons.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma
junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o
potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o
substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo
N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como
semicondutores do tipo P.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no
emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser
fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de
dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa
importante por favorecer a minimização da recombinação dos
portadores majoritários e minoritários na base.
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