Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a
Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente.
O circuito apresentado na figura precedente pode ser modelado pelo teorema de Thévenin como
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Idealmente a célula fotovoltaica deve ser construída com
silício 100% puro, já que qualquer impureza pode introduzir
níveis de energia indesejados nas bandas do sistema,
atrapalhando o fluxo de corrente.
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
No circuito apresentado, a queda de tensão nos terminais da carga resistiva R_L pode ser expressa por
em que i_0 é a corrente de saturação reversa, n é o fator de
idealidade do diodo, k é a constante de Boltzmann, T é a
temperatura e q é a carga do elétron.
Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.
Um LED precisa ser construído a partir de um semicondutor
inorgânico, pois o gap existente nesse material é necessário
para a criação da região de depleção.
Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.
Antes do processo de recombinação, a diferença entre as
energias do elétron e do buraco em um LED azul é maior do
que a diferença entre as energias do elétron e do buraco em
um LED vermelho.
Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.
A cor da luz emitida por um LED depende
fundamentalmente da frequência de luz incidente, razão pela
qual o encapsulamento desses dispositivos tende a ser
transparente ou translúcido.
Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.
Em geral, ao se conectar o anodo de um LED ao terminal
negativo e o catodo ao terminal positivo de uma fonte de
corrente contínua, o dispositivo tende a não emitir luz.
Julgue o item a seguir, relativo a fundamentos de montagem de circuitos integrados.
O processo de montagem de circuitos integrados permite
conectar eletricamente os pads de ligação do circuito
integrado e os pads de ligação do receptáculo.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a
dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à
largura do canal do MOSFET.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre
os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os
portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma
semelhante aos de um transistor bipolar.
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