Questões de Concurso
Sobre eletrônica de potência na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 196 questões
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523621
Engenharia Eletrônica
Considere um projeto que emprega uma fonte de alimentação e um IGBT para alimentar uma carga puramente resistiva de 20Ω, onde a corrente média na carga é controlada pelo chaveamento do IGBT
Sabe-se que, nesse projeto, a tensão da fonte de alimentação é 120 V, a tensão queda de tensão entre coletor e emissor do IGBT é 4 V e a corrente média da carga é 2,32 A.
Diante do exposto, o ciclo de trabalho do circuito de chaveamento, em valores percentuais, é
Sabe-se que, nesse projeto, a tensão da fonte de alimentação é 120 V, a tensão queda de tensão entre coletor e emissor do IGBT é 4 V e a corrente média da carga é 2,32 A.
Diante do exposto, o ciclo de trabalho do circuito de chaveamento, em valores percentuais, é
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523619
Engenharia Eletrônica
Considere um projeto de um conversor CC-CC abaixador, que opera com tensão de entrada de 30 V, potência de saída de 15 W e frequência de chaveamento é 100 kHz.
Considerando que o conversor opere em modo de condução contínuo e que a razão de trabalho de chaveamento (ou ciclo de trabalho) é 0,4, a corrente média de saída, em A, é
Considerando que o conversor opere em modo de condução contínuo e que a razão de trabalho de chaveamento (ou ciclo de trabalho) é 0,4, a corrente média de saída, em A, é
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523618
Engenharia Eletrônica
Um fabricante de baterias hipotético define a propriedade denominada Status da bateria, como indicador de tempo de vida útil da sua bateria experimental.
Considere que essa propriedade seja dependente exclusivamente do número de cargas (NC) e possa ser aproximada pela equação
Em que:
• NC é o número de cargas; e
• Status da bateria.
De acordo com as especificações, a bateria deverá ser substituída quando seu Status for menor que 50.
Dados:
Diante do exposto, o número máximo de cargas a que a bateria poderá ser submetida antes da substituição é
Considere que essa propriedade seja dependente exclusivamente do número de cargas (NC) e possa ser aproximada pela equação
Em que:
• NC é o número de cargas; e
• Status da bateria.
De acordo com as especificações, a bateria deverá ser substituída quando seu Status for menor que 50.
Dados:
Diante do exposto, o número máximo de cargas a que a bateria poderá ser submetida antes da substituição é
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523592
Engenharia Eletrônica
O projeto de fontes de alimentação de corrente contínua pode ser dividido em etapas, tais como a retificação e a regulação. É possível inserir um estágio adicional de filtragem composto por um resistor e um capacitor, após o capacitor de filtragem original.
Tal inserção tem como objetivo principal
Tal inserção tem como objetivo principal
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - Petrobras - Técnico Júnior - Ênfase: Manutenção - Elétrica |
Q2443199
Engenharia Eletrônica
Julgue o item a seguir, relativos a potência ativa, reativa e aparente e a fator de potência.
Se um gerador for conectado a uma carga puramente
resistiva, a potência ativa será igual à potência reativa.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364441
Engenharia Eletrônica
Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10−6 Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2 /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364434
Engenharia Eletrônica
Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.
Um MCM é um empacotamento eletrônico que consiste em
vários circuitos integrados montados em um único
dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364430
Engenharia Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).
O objetivo do processo de soldagem por refusão empregado em componentes SMD é fundir as partículas de solda, “molhar” as superfícies a serem unidas e solidificar a solda em uma junta, metalurgicamente, forte.
O objetivo do processo de soldagem por refusão empregado em componentes SMD é fundir as partículas de solda, “molhar” as superfícies a serem unidas e solidificar a solda em uma junta, metalurgicamente, forte.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364429
Engenharia Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme
espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com
componentes SMD (surface mounting devices).
A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.
A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364428
Engenharia Eletrônica
A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.
Wire bonding envolve uma pressão localizada precisamente
entre o fio e uma região metalizada do circuito ou do
terminal do empacotamento a ser soldado, sem aquecer
excessivamente toda a estrutura.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364426
Engenharia Eletrônica
A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.
Ball bonding é uma forma de ligação conhecida como
termosônica, em que se combina compressão ultrassônica e
termocompressão.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364423
Engenharia Eletrônica
Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.
No que se refere ao atendimento do aumento de requisitos de
frequência de operação e de demanda por maior número de
interconexões internas, a capacidade de empacotamento de
(CI) é ilimitada, devido à tecnologia de wire-bonding na
periferia do componente.
Q2361801
Engenharia Eletrônica
A área útil ocupável pelos condutores pode ser determinada a partir dos seguintes
dados:
• De – diâmetro externo do eletroduto, em mm.
• ∆De – variação do diâmetro externo, em mm.
• Ep – espessura da parede do eletroduto, em mm.
Considerando:
• De = 62,5 mm
• ∆De = 0,7 mm
• Ep = 2,5 mm
Qual é a área útil compatível de um eletroduto de PVC rígido, tamanho 60, classe B?
• De – diâmetro externo do eletroduto, em mm.
• ∆De – variação do diâmetro externo, em mm.
• Ep – espessura da parede do eletroduto, em mm.
Considerando:
• De = 62,5 mm
• ∆De = 0,7 mm
• Ep = 2,5 mm
Qual é a área útil compatível de um eletroduto de PVC rígido, tamanho 60, classe B?
Q2361797
Engenharia Eletrônica
Um motor de indução trifásico, conectado em Y, com quatro polos, 30 HP, 127 V,
50 Hz, solicita uma corrente de 65 A da rede de alimentação, com um fator de potência de 0,85.
Nessas condições de operação, as perdas do motor são as seguintes:
• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.
• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.
• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.
• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.
• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.
• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.
• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.
• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.
Assinale a alternativa que apresenta a potência transferida através do entreferro.
Q2361796
Engenharia Eletrônica
O circuito da figura apresenta um transformador ideal em que a
impedância R2 + jX2 = 5 + j20 Ω está conectada em série com o secundário. A relação de espiras é
N1 / N2 = 5:1. Considere uma tensão eficaz de primário de 220 V. Partindo de um circuito equivalente
cuja impedância em série esteja referida ao primário, assinale a alternativa que informa a corrente do
primário na ordem apresentada.
Q2361795
Engenharia Eletrônica
Em unidades do SI, a permeabilidade do vácuo é µ0 = 4π x 10−7 henrys por metro. A permeabilidade dos materiais magnéticos lineares pode ser expressa em termos de sua permeabilidade relativa µr, ou seja, seu valor relativo ao do vácuo, ou µ = µrµ0 (Umans, 2014). Qual é a variação aproximada dos valores típicos de μr para os materiais usados em transformadores e máquinas rotativas?
Ano: 2023
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2023 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Área Eletroeletrônica |
Q2254472
Engenharia Eletrônica
Observe os tiristores mostrados abaixo. É correto se afirmar que:
Ano: 2023
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-SC
Prova:
FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |
Q2226748
Engenharia Eletrônica
Sobre o método de sintonia por Ziegler-Nichols, assinale a alternativa que descreve
corretamente o comportamento do sistema.
Ano: 2023
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-SC
Prova:
FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |
Q2226742
Engenharia Eletrônica
Os sensores fotoelétricos são elementos muito importantes para percepção e
identificação de objetos e apresentam principalmente três maneiras de detecção: por reflexão, por
barreira e difuso. Sobre esses sensores, é correto afirmar que:
Ano: 2023
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-SC
Prova:
FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |
Q2226741
Engenharia Eletrônica
Considerando os algarismos significativos em uma soma de dois valores, os números
178,7 e 14,03, é correto afirmar que a soma desses números é:
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