Questões de Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica para Concurso - Página 2

Q2364429

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364429 Engenharia Eletrônica

Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).

A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.

Certo

Errado

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Q2364428

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364428 Engenharia Eletrônica

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Wire bonding envolve uma pressão localizada precisamente entre o fio e uma região metalizada do circuito ou do terminal do empacotamento a ser soldado, sem aquecer excessivamente toda a estrutura.

Certo

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Q2364426

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364426 Engenharia Eletrônica

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Ball bonding é uma forma de ligação conhecida como termosônica, em que se combina compressão ultrassônica e termocompressão.

Certo

Errado

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Q2364423

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364423 Engenharia Eletrônica

Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.

No que se refere ao atendimento do aumento de requisitos de frequência de operação e de demanda por maior número de interconexões internas, a capacidade de empacotamento de (CI) é ilimitada, devido à tecnologia de wire-bonding na periferia do componente.

Certo

Errado

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Q2361801

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361801 Engenharia Eletrônica

A área útil ocupável pelos condutores pode ser determinada a partir dos seguintes dados:

• De – diâmetro externo do eletroduto, em mm.
• ∆De – variação do diâmetro externo, em mm.
• Ep – espessura da parede do eletroduto, em mm.

Considerando:

•  De = 62,5 mm
•  ∆De = 0,7 mm
•  Ep = 2,5 mm

Qual é a área útil compatível de um eletroduto de PVC rígido, tamanho 60, classe B?

A

2.174,7 mm².

B

2.192,8 mm².

C

2.264,2 mm².

D

2.346,4 mm².

E

2.532,6 mm².

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Q2361797

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361797 Engenharia Eletrônica

Um motor de indução trifásico, conectado em Y, com quatro polos, 30 HP, 127 V, 50 Hz, solicita uma corrente de 65 A da rede de alimentação, com um fator de potência de 0,85. Nessas condições de operação, as perdas do motor são as seguintes:

• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.

• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.

• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.

• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.

Assinale a alternativa que apresenta a potência transferida através do entreferro.

A

8258,46 W.

B

10397,38 W.

C

12153,37 W.

D

24302,24 W.

E

25820,02 W.

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Q2361796

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361796 Engenharia Eletrônica

O circuito da figura apresenta um transformador ideal em que a impedância R₂ + jX₂ = 5 + j20 Ω está conectada em série com o secundário. A relação de espiras é N₁ / N₂ = 5:1. Considere uma tensão eficaz de primário de 220 V. Partindo de um circuito equivalente cuja impedância em série esteja referida ao primário, assinale a alternativa que informa a corrente do primário na ordem apresentada.
Imagem associada para resolução da questão

Imagem associada para resolução da questão

A

0,10 – j0,41 A.

B

0,22 + j0,64 A.

C

0,54 – j0,82 A.

D

0,80 – j0,22 A.

E

10,12 – j0,96 A.

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Q2361795

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361795 Engenharia Eletrônica

Em unidades do SI, a permeabilidade do vácuo é µ0 = 4π x 10⁻⁷ henrys por metro. A permeabilidade dos materiais magnéticos lineares pode ser expressa em termos de sua permeabilidade relativa µr, ou seja, seu valor relativo ao do vácuo, ou µ = µrµ0 (Umans, 2014). Qual é a variação aproximada dos valores típicos de μr para os materiais usados em transformadores e máquinas rotativas?

A

Variam de 0 a 700.

B

Variam de 800 a 1.500.

C

Variam de 2.000 a 80.000.

D

Variam de 100.000 a 600.000.

E

Variam de 1.000.000 a 9.000.000.

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Q2254472

Ano: 2023 Banca: IF-MG Órgão: IF-MG Prova: IF-MG - 2023 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Área Eletroeletrônica |

Q2254472 Engenharia Eletrônica

Observe os tiristores mostrados abaixo. É correto se afirmar que:

Imagem associada para resolução da questão

A

Os SCRs são chamados de retificadores controlados de silício. Apresentam 03 terminais (anodo, catodo e gatilho) sendo o funcionamento análogo ao de um diodo porem com a possibilidade de condução por aplicação de uma tensão CC ou pulso positivo no terminal de gatilho. Esta é a única forma de se levar o componente para o estado de condução.

B

Os DIACs, também chamados de diodos de corrente alternada, podem ser disparados por sobre tensão ou por pulsos aplicados ao seu terminal de gatilho..

C

Os tiristores (SCR, TRIAC ou DIAC) apresentam como característica comum a forma de bloqueio de corrente que ocorre se a corrente de condução for menor que a corrente mínima de manutenção. Uma forma de se obter esta situação seria a aplicação de um curto circuito entre os terminais de gatilho e de entrada(s) de corrente no componente.

D

Os tiristores podem ser considerados como chaves de condução controlada de corrente. Para todos os tiristores a polaridade entre os terminais de condução não interfere no processo de disparo.

E

Os TRIACs são tiristores de condução de corrente nos dois sentidos entre os terminais principais de MT2 e MT1. Um TRIAC tem o circuito equivalente a ligação de 02 SCRs em antiparalelo e é capaz de conduzir corrente alternada de forma controlada pelo ângulo de disparo de um pulso no terminal de gatilho.

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Q2226748

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |

Q2226748 Engenharia Eletrônica

Sobre o método de sintonia por Ziegler-Nichols, assinale a alternativa que descreve corretamente o comportamento do sistema.

A

Um método para ajustar o controlador com base na saturação do processo.

B

Uma técnica para otimizar a programação do controlador.

C

Um método de sintonia que utiliza testes em malha aberta e fechada para identificar os parâmetros do controlador.

D

Um algoritmo para determinar a vida útil do controlador.

E

Um modelo matemático para prever a estabilidade do processo.

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Q2226742

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |

Q2226742 Engenharia Eletrônica

Os sensores fotoelétricos são elementos muito importantes para percepção e identificação de objetos e apresentam principalmente três maneiras de detecção: por reflexão, por barreira e difuso. Sobre esses sensores, é correto afirmar que:

A

No sensor ótico difuso, ambos os sensores e o receptor encontram-se no mesmo componente e precisam de um objeto reflexível para que o sinal retorne para o receptor.

B

No sensor reflexivo, os componentes estão um de cada lado e ambos estão em componentes separados.

C

O sensor difuso usa os espelhos prismáticos para perceber a presença de um objeto. Quando o objeto se aproxima do sensor, a luz retorna ao sensor.

D

No sensor do tipo barreira, o sensor usa uma barreira para percepção. Quando a barreira não está presente, o sensor retorna a luz.

E

No sensor reflexivo, a luz reflete em um espelho prismático retornando ao sensor. Quando o objeto atravessa a luz, o sensor não a percebe mais.

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Q2226741

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |

Q2226741 Engenharia Eletrônica

Considerando os algarismos significativos em uma soma de dois valores, os números 178,7 e 14,03, é correto afirmar que a soma desses números é:

A

192.

B

192,7.

C

192,73.

D

192,70.

E

192,0.

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Q2223774

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Professor EBTT - Instrumentação Eletroeletrônica |

Q2223774 Engenharia Eletrônica

Sobre alguns conceitos relacionados à potência, analise as assertivas abaixo, assinalando V, se verdadeiras, ou F, se falsas.
( ) Para a máxima transferência de potência média, a impedância da carga, Z_L, deve ser igual ao conjugado complexo da impedância de Thévenin, Z_Th.
( ) Potência aparente (em VA) é o produto dos valores RMS da tensão e da corrente.

( ) Potência complexa (em VA) é o produto do fasor de tensão RMS e o conjugado complexo do fasor de corrente RMS. Por ser um número complexo, sua parte real é a potência aparente e sua parte imaginária é a potência reativa Q.
( ) O processo de diminuir o fator de potência sem alterar a tensão ou corrente para a carga original é conhecido como correção do fator de potência.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:

A

V – V – F – F.

B

V – F – F – V.

C

V – F – V – F.

D

F – V – F – V.

E

F – F – V – V.

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Q2223758

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Professor EBTT - Instrumentação Eletroeletrônica |

Q2223758 Engenharia Eletrônica

A temperatura de -234,5°C é chamada temperatura absoluta inferida do cobre. Se a resistência de um fio de cobre à temperatura de congelamento da água (0°C) é 35 Ω, qual a sua resistência a -25°C?

A

24,88 Ω.

B

31,27 Ω.

C

47,52 Ω.

D

60,85 Ω.

E

65,72 Ω.

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Q2182992

Ano: 2023 Banca: UFPR Órgão: IF-PR Prova: UFPR - 2023 - IF-PR - Engenharia Eletrônica |

Q2182992 Engenharia Eletrônica

O texto a seguir é referência para a questão. Considere o seguinte modelo para o BJT:
Para NPN: - junção base-emissor (JBE): em bloqueio se VBE ≤ 0,7 V; em condução, assumir VBE = 0,7 V. - junção base-coletor (JBC): em bloqueio se VBC ≤ 0,5 V; em condução, assumir VBC = 0,5 V. - para BJT em modo ativo (ou seja, JBE em condução e JBC em bloqueio), assumir IC = βIB. - para BJT em saturação (ou seja, ambas JBE e JBC em condução e 0 ≤ IC/IB ≤ β), assumir VCE = 0,2 V. - para BJT em corte (ou seja, ambas JBE e JBC em bloqueio), assumir IB = 0 e IC = 0.
Para PNP: - junção emissor-base (JEB): em bloqueio se VEB ≤ 0,7 V; em condução, assumir VEB = 0,7 V. - junção coletor-base (JCB): em bloqueio se VCB ≤ 0,5 V; em condução, assumir VCB = 0,5 V. - para BJT em modo ativo (ou seja, JEB em condução e JCB em bloqueio), assumir IC = βIB. - para BJT em saturação (ou seja, ambas JEB e JCB em condução e 0 ≤ IC/IB ≤ β), assumir VEC = 0,2 V. - para BJT em corte (ou seja, ambas JEB e JCB em bloqueio), assumir IB = 0 e IC = 0.

Considerando os circuitos (1) e (2) a seguir, e um b = 70, assinale a alternativa correta.
Imagem associada para resolução da questão

A

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +6 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩo transistor se encontra em modo de operação ativo; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação ativo.

B

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +4 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação ativo; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação ativo.

C

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +6 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação saturado; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação saturado.

D

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +4 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação saturado; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +2 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação ativo.

E

No circuito (1), com V_cc = +10 V, V_b = +4 V, R1 = 4,7 KΩ e R2 = 3,3 KΩ, o transistor se encontra em modo de operação ativo; no circuito (2), com V_ee = +10 V, V_b = +5 V, R1 = 2 KΩ e R2 = 1 KΩ o transistor se encontra em modo de operação saturado.

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Q2177297

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: GHC-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - GHC-RS - Técnico em Eletrônica |

Q2177297 Engenharia Eletrônica

Um motor monofásico está ligado diretamente a uma fonte de tensão de corrente alternada de 200V/0º e a potência consumida é de S = 1k√2 W + 1k√2 V Ar. Determine o fator de potência e a corrente circulante na carga.

A

FP = 0; corrente I = 10 A/-45º

B

FP = ½ ; corrente I = 0

C

FP = √2 /2 ; corrente I = 10 A/45º

D

FP = √2 /2 ; corrente I = 10 A/0º

E

FP = 1 ; corrente I = 10 A

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Q2022952

Ano: 2022 Banca: FGV Órgão: SEAD-AP Prova: FGV - 2022 - SEAD-AP - Perito Criminal - Engenheiro Eletrônico |

Q2022952 Engenharia Eletrônica

Considere que o circuito abaixo esteja operando no regime estacionário senoidal.
Imagem associada para resolução da questão

A potência média e a potência reativa total dos elementos passivos do circuito são, respectivamente

A

4,5 W e −4,5 VAr.

B

4,5 W e 13,5 VAr.

C

9 W e −9 VAr.

D

9 W e 0 VAr.

E

18 W e 0 VAr.

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Q1976049

Ano: 2022 Banca: Quadrix Órgão: SEDF Prova: Quadrix - 2022 - SEDF - Professor de Educação Básica - Eletrônica - Edital nº 31 |

Q1976049 Engenharia Eletrônica

Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.

No transistor de efeito de campo, a corrente de dreno depende exponencialmente da tensão entre porta e fonte.

Certo

Errado

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Q1976045

Ano: 2022 Banca: Quadrix Órgão: SEDF Prova: Quadrix - 2022 - SEDF - Professor de Educação Básica - Eletrônica - Edital nº 31 |

Q1976045 Engenharia Eletrônica

Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.
Um resistor de 1.000 Ohm e 1 Watt deve ser capaz de suportar indefinidamente uma corrente de 1 Ampere.

Certo

Errado

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Q1970643

Ano: 2022 Banca: FCC Órgão: TRT - 23ª REGIÃO (MT) Prova: FCC - 2022 - TRT - 23ª REGIÃO (MT) - Analista Judiciário - Área Apoio - Engenharia Elétrica |

Q1970643 Engenharia Eletrônica

Um tiristor tem curva característica com o padrão conforme o esquema abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

A figura apresentada trata-se de um

A

DIAC.

B

SCR.

C

UJT.

D

TRIAC.

E

FET.

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Questões de Concurso Sobre eletrônica de potência na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica

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