Questões de Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica para Concurso - Página 2

Q2364429

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364429 Engenharia Eletrônica

Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).

A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.

Certo

Errado

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Q2364428

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364428 Engenharia Eletrônica

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Wire bonding envolve uma pressão localizada precisamente entre o fio e uma região metalizada do circuito ou do terminal do empacotamento a ser soldado, sem aquecer excessivamente toda a estrutura.

Certo

Errado

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Q2364426

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364426 Engenharia Eletrônica

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Ball bonding é uma forma de ligação conhecida como termosônica, em que se combina compressão ultrassônica e termocompressão.

Certo

Errado

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Q2364423

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CTI Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |

Q2364423 Engenharia Eletrônica

Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.

No que se refere ao atendimento do aumento de requisitos de frequência de operação e de demanda por maior número de interconexões internas, a capacidade de empacotamento de (CI) é ilimitada, devido à tecnologia de wire-bonding na periferia do componente.

Certo

Errado

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Q2361801

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361801 Engenharia Eletrônica

A área útil ocupável pelos condutores pode ser determinada a partir dos seguintes dados:

• De – diâmetro externo do eletroduto, em mm.
• ∆De – variação do diâmetro externo, em mm.
• Ep – espessura da parede do eletroduto, em mm.

Considerando:

•  De = 62,5 mm
•  ∆De = 0,7 mm
•  Ep = 2,5 mm

Qual é a área útil compatível de um eletroduto de PVC rígido, tamanho 60, classe B?

A

2.174,7 mm².

B

2.192,8 mm².

C

2.264,2 mm².

D

2.346,4 mm².

E

2.532,6 mm².

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Q2361797

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361797 Engenharia Eletrônica

Um motor de indução trifásico, conectado em Y, com quatro polos, 30 HP, 127 V, 50 Hz, solicita uma corrente de 65 A da rede de alimentação, com um fator de potência de 0,85. Nessas condições de operação, as perdas do motor são as seguintes:

• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.

• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.

• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.

• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.

Assinale a alternativa que apresenta a potência transferida através do entreferro.

A

8258,46 W.

B

10397,38 W.

C

12153,37 W.

D

24302,24 W.

E

25820,02 W.

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Q2361796

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361796 Engenharia Eletrônica

O circuito da figura apresenta um transformador ideal em que a impedância R₂ + jX₂ = 5 + j20 Ω está conectada em série com o secundário. A relação de espiras é N₁ / N₂ = 5:1. Considere uma tensão eficaz de primário de 220 V. Partindo de um circuito equivalente cuja impedância em série esteja referida ao primário, assinale a alternativa que informa a corrente do primário na ordem apresentada.
Imagem associada para resolução da questão

Imagem associada para resolução da questão

A

0,10 – j0,41 A.

B

0,22 + j0,64 A.

C

0,54 – j0,82 A.

D

0,80 – j0,22 A.

E

10,12 – j0,96 A.

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Q2361795

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-RS Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-RS - Professor - Eletrotécnica |

Q2361795 Engenharia Eletrônica

Em unidades do SI, a permeabilidade do vácuo é µ0 = 4π x 10⁻⁷ henrys por metro. A permeabilidade dos materiais magnéticos lineares pode ser expressa em termos de sua permeabilidade relativa µr, ou seja, seu valor relativo ao do vácuo, ou µ = µrµ0 (Umans, 2014). Qual é a variação aproximada dos valores típicos de μr para os materiais usados em transformadores e máquinas rotativas?

A

Variam de 0 a 700.

B

Variam de 800 a 1.500.

C

Variam de 2.000 a 80.000.

D

Variam de 100.000 a 600.000.

E

Variam de 1.000.000 a 9.000.000.

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Q2254472

Ano: 2023 Banca: IF-MG Órgão: IF-MG Prova: IF-MG - 2023 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Área Eletroeletrônica |

Q2254472 Engenharia Eletrônica

Observe os tiristores mostrados abaixo. É correto se afirmar que:

Imagem associada para resolução da questão

A

Os SCRs são chamados de retificadores controlados de silício. Apresentam 03 terminais (anodo, catodo e gatilho) sendo o funcionamento análogo ao de um diodo porem com a possibilidade de condução por aplicação de uma tensão CC ou pulso positivo no terminal de gatilho. Esta é a única forma de se levar o componente para o estado de condução.

B

Os DIACs, também chamados de diodos de corrente alternada, podem ser disparados por sobre tensão ou por pulsos aplicados ao seu terminal de gatilho..

C

Os tiristores (SCR, TRIAC ou DIAC) apresentam como característica comum a forma de bloqueio de corrente que ocorre se a corrente de condução for menor que a corrente mínima de manutenção. Uma forma de se obter esta situação seria a aplicação de um curto circuito entre os terminais de gatilho e de entrada(s) de corrente no componente.

D

Os tiristores podem ser considerados como chaves de condução controlada de corrente. Para todos os tiristores a polaridade entre os terminais de condução não interfere no processo de disparo.

E

Os TRIACs são tiristores de condução de corrente nos dois sentidos entre os terminais principais de MT2 e MT1. Um TRIAC tem o circuito equivalente a ligação de 02 SCRs em antiparalelo e é capaz de conduzir corrente alternada de forma controlada pelo ângulo de disparo de um pulso no terminal de gatilho.

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Q2252817

Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRE-GO Prova: CESPE / CEBRASPE - 2009 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Serviços Gerais - Eletricidade e Telecomunicações |

Q2252817 Engenharia Eletrônica

Em um retificador controlado de silício (silicon controlled rectfier – SCR), o disparo é controlado por meio do(a)

A

ânodo.

B

cátodo.

C

porta (gate).

D

junção PN.

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Q2252007

Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |

Q2252007 Engenharia Eletrônica

Relacione os parâmetros híbridos do transistor emissor comum com os seus respectivos significados.
I. hoe a. ganho direto de corrente II. hie b. admitância de saída III. hre c. impedância de entrada IV. hfe d. ganho reverso de tensão

A

I-d; II-c; III-b; IV-a

B

I-c; II-a; III-b; IV-d

C

I-c; II-b; III-d; IV-a

D

I-b; II-c; III-d; IV-a

E

I-b; II-d; III-a; IV-c

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Q2252005

Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |

Q2252005 Engenharia Eletrônica

Texto associado

A função de R₁e R₂ é

A

limitar a corrente de coletor dos transistores quando eles estiverem cortados.

B

limitar a corrente de coletor dos transistores quando eles estiverem saturados.

C

garantir que a tensão V_CEde corte dos transistores seja igual a V_CC.

D

garantir a descarga dos capacitores no terminal V_CCda fonte de alimentação.

E

forçar o estado de saturação dos transistores quando os capacitores ligados em suas bases estiverem descarregados.

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Q2252003

Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |

Q2252003 Engenharia Eletrônica

Considere um circuito RLC paralelo formado por L = 10mH, C = 220nF e R = 470kΩ. A freqüência de ressonância vale, aproximadamente,

A

3,4 kHz

B

3,4 MHz

C

34 Hz

D

34 MHz

E

340 kHz

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Q2251998

Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |

Q2251998 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Considerando a impedância de entrada típica de 150 kΩ e sinal de entrada senoidal de 1 kHz e 50 mVpp, então a potência RMS de entrada vale, aproximadamente,

A

20 pW.

B

48 pW.

C

2 nW.

D

8 nW.

E

16 nW

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Q2251985

Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |

Q2251985 Engenharia Eletrônica

Considere a curva característica representada abaixo.

Imagem associada para resolução da questão

Esta curva refere-se ao dispositivo

A

DIAC

B

SCR

C

PTC

D

SBS

E

PUT

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Q2226748

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |

Q2226748 Engenharia Eletrônica

Sobre o método de sintonia por Ziegler-Nichols, assinale a alternativa que descreve corretamente o comportamento do sistema.

A

Um método para ajustar o controlador com base na saturação do processo.

B

Uma técnica para otimizar a programação do controlador.

C

Um método de sintonia que utiliza testes em malha aberta e fechada para identificar os parâmetros do controlador.

D

Um algoritmo para determinar a vida útil do controlador.

E

Um modelo matemático para prever a estabilidade do processo.

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Q2226742

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |

Q2226742 Engenharia Eletrônica

Os sensores fotoelétricos são elementos muito importantes para percepção e identificação de objetos e apresentam principalmente três maneiras de detecção: por reflexão, por barreira e difuso. Sobre esses sensores, é correto afirmar que:

A

No sensor ótico difuso, ambos os sensores e o receptor encontram-se no mesmo componente e precisam de um objeto reflexível para que o sinal retorne para o receptor.

B

No sensor reflexivo, os componentes estão um de cada lado e ambos estão em componentes separados.

C

O sensor difuso usa os espelhos prismáticos para perceber a presença de um objeto. Quando o objeto se aproxima do sensor, a luz retorna ao sensor.

D

No sensor do tipo barreira, o sensor usa uma barreira para percepção. Quando a barreira não está presente, o sensor retorna a luz.

E

No sensor reflexivo, a luz reflete em um espelho prismático retornando ao sensor. Quando o objeto atravessa a luz, o sensor não a percebe mais.

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Q2226741

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Área: Automação |

Q2226741 Engenharia Eletrônica

Considerando os algarismos significativos em uma soma de dois valores, os números 178,7 e 14,03, é correto afirmar que a soma desses números é:

A

192.

B

192,7.

C

192,73.

D

192,70.

E

192,0.

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Q2223774

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Professor EBTT - Instrumentação Eletroeletrônica |

Q2223774 Engenharia Eletrônica

Sobre alguns conceitos relacionados à potência, analise as assertivas abaixo, assinalando V, se verdadeiras, ou F, se falsas.
( ) Para a máxima transferência de potência média, a impedância da carga, Z_L, deve ser igual ao conjugado complexo da impedância de Thévenin, Z_Th.
( ) Potência aparente (em VA) é o produto dos valores RMS da tensão e da corrente.

( ) Potência complexa (em VA) é o produto do fasor de tensão RMS e o conjugado complexo do fasor de corrente RMS. Por ser um número complexo, sua parte real é a potência aparente e sua parte imaginária é a potência reativa Q.
( ) O processo de diminuir o fator de potência sem alterar a tensão ou corrente para a carga original é conhecido como correção do fator de potência.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:

A

V – V – F – F.

B

V – F – F – V.

C

V – F – V – F.

D

F – V – F – V.

E

F – F – V – V.

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Q2223758

Ano: 2023 Banca: FUNDATEC Órgão: IF-SC Prova: FUNDATEC - 2023 - IF-SC - Professor EBTT - Instrumentação Eletroeletrônica |

Q2223758 Engenharia Eletrônica

A temperatura de -234,5°C é chamada temperatura absoluta inferida do cobre. Se a resistência de um fio de cobre à temperatura de congelamento da água (0°C) é 35 Ω, qual a sua resistência a -25°C?

A

24,88 Ω.

B

31,27 Ω.

C

47,52 Ω.

D

60,85 Ω.

E

65,72 Ω.

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Questões de Concurso Sobre eletrônica de potência na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica

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