Questões de Concurso
Sobre resistores e potência elétrica em física
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I. A potência elétrica é medida em Joules/segundo (J/s).
II. A potência elétrica consumida por um dispositivo elétrico pode ser determinada pelo produto da tensão em seus terminais e corrente que passa através dele.
III. A potência dissipada por um resistor pode ser determinada pelo produto da corrente que passa através dele e o valor de sua resistência elétrica.
É(São) verdadeira(s) a(s) afirmativa(s)

Assinale a alternativa CORRETA que apresente a potência dissipada pela lâmpada:

Para alimentá-los, dispõe-se de um gerador ideal (isto é, de resistência interna desprezível). Eles podem ser ligados ao gerador como ilustram os esquemas a seguir.

Suponha desprezíveis as resistências dos fios de ligação e considere o amperímetro ideal. Quando eles estão ligados como ilustra o esquema (I), o amperímetro indica 6 A. Já quando eles estão ligados, como ilustra o esquema (II), o amperímetro indica
A resistência equivalente entre A e B com ambas as chaves fechadas é


condutor está preso a um dinamômetro isolante que se encontra em uma região onde há um campo magnético perpendicular ao plano do fio e apontando para fora de módulo igual a 2 T. Inicialmente a chave está aberta.
Fecha-se a chave.
Reestabelecido o equilíbrio e sabendo que a resistência total no fio é de 2 Ω, o voltímetro irá acusar
Dado: 1HP = 750.
Sabendo-se que o rendimento dos motores é 90% e desprezando-se as perdas no sistema de distribuição do consumidor, a energia final consumida, em kWh, durante a operação dos motores é, aproximadamente,

Seja um motor trifásico que possui no eixo mecânico a potência de 5 CV. Ao medir a corrente de linha chegou-se ao valor de 8 A eficazes e à tensão de linha de 380 V eficazes.
Sabendo que o fator de potência em potência nominal é de 0,8, qual o rendimento desse motor?
Considere que 1 CV = 735,5 W.
Aparelhos que demandam grande intensidade de corrente, para seu funcionamento normal, devem ser ligados a fios de bitola
Se o comprimento do referido condutor fosse dobrado (2 x L) e a área da sua seção transversal fosse, também, dobrada (2 x A), mantidos os demais parâmetros, haveria uma corrente elétrica de valor i atravessando esse condutor.
Observe as figuras abaixo:
Considere duas placas condutoras paralelas A e B, denominadas
armaduras, separadas por um material isolante denominado
dielétrico. Aplicando uma diferença de potencial (tensão) entre
as placas, com potencial positivo na placa A e potencial negativo
na placa B, a placa A começa a ceder elétrons para o polo
positivo da fonte, carregando-se positivamente com carga +q,
e a placa B, simultaneamente, começa a atrair elétrons do polo
negativo da fonte, carregando-se negativamente com carga
␣q, formando um fluxo de elétrons (corrente i). Como entre as
placas existe um material isolante, esse fluxo de elétrons não o
atravessa, fazendo com que as cargas fiquem armazenadas nas
placas. Conforme aumenta a carga q armazenada nas placas,
aumenta também:

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 306.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) para as afirmativas a seguir:
( ) No caso (a) pode existir assimetria da curva do módulo da corrente versus a tensão, mesmo que pequena.
( ) Essas estratégias só funcionam para semicondutores tipo n.
( ) No caso (b) o mecanismo principal de injeção de carga será tunelamento.
A sequência correta é:
Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.
Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:
( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.
( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.
( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.
Assinale a alternativa com a sequência correta.

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 247.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) diante de cada afirmativa a seguir:
( ) Na inexistência de defeitos na superfície do semicondutor, a barreira dependerá da função trabalho do metal.
( ) A barreira Schottky surgirá sempre, porque o metal sempre causa defeitos no semicondutor.
( ) Superfícies semicondutoras ricas em defeitos tornam a barreira independente do metal.
Assinale a sequência correta.