Questões TRT - 17ª Região (ES) 2009 para Analista Judiciário - Engenharia Elétrica

Q19546

Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |

Q19546 Engenharia Eletrônica

Texto associado

As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.

A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.

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Q19547

Ano: 2009 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |

Q19547 Engenharia Eletrônica

Texto associado

As figuras I e II acima mostram transistores MOS-FET com
diferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos desses
transistores e de suas características, julgue os itens seguintes.

Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.