Questões de Concurso Público TRT - 3ª Região (MG) 2009 para Analista Judiciário - Engenharia Elétrica

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Q23729
Engenharia Eletrônica Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica , Álgebra Booleana e Circuitos Lógicos em Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23729 Engenharia Eletrônica
A Expressão lógica Imagem 050.jpgencontra-se simplificada em
Alternativas
Q23730
Engenharia Elétrica Máquinas Elétricas , Transformador de Corrente ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23730 Engenharia Elétrica
Para viabilizar a indicação de correntes de valores elevados (centenas a milhares de ampères) em instrumentos de painéis de comando, utiliza-se
Alternativas
Q23731
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23731 Engenharia Eletrônica
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, danifique o transistor, usa-se um
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Q23732
Engenharia Elétrica Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica , Materiais Elétricos ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23732 Engenharia Elétrica
O resistor cujos anéis têm cores verde, azul, vermelho e ouro vale
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Q23733
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q23733 Engenharia Eletrônica
No circuito retificador em ponte composto por diodos de silício operando em condições normais, a perda de tensão devido à barreira de potencial dos diodos é, aproximadamente, em V,
Alternativas
Respostas
46: E
47: B
48: D
49: B
50: B
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