Questões de Concurso Público INPE 2024 para Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites

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Q2523583
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523583 Engenharia Eletrônica
Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros.

Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.
Alternativas
Q2523586
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523586 Engenharia Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.

Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta. 
Alternativas
Q2523590
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523590 Engenharia Eletrônica
Os MOSFET são, possivelmente, os transistores mais empregados atualmente. Sejam como chaves em circuitos de potência, na confecção dos circuitos integrados da família CMOS, como amplificadores ou em alguma das suas outras aplicações, eles marcam importante presença na nossa vida cotidiana. 

Sobre esse importante componente eletrônico, é correto afirmar que o MOSFET, 
Alternativas
Q2523604
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523604 Engenharia Eletrônica
O circuito a seguir é composto por um buffer tri-state, um inversor com saída em coletor aberto (onde a entrada em nível lógico alto coloca o transistor de saída em condução) e um resistor. 

Imagem associada para resolução da questão


A combinação de sinais que gera conflito em S é 
Alternativas
Q2523616
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523616 Engenharia Eletrônica
Ao selecionar um MOSFET de potência para atuar como chave em um circuito, deve-se atentar para que seus parâmetros garantam o funcionamento desejado e minimizem a dissipação de energia no transistor.  

Em relação aos parâmetros dos MOSFET de potência na situação acima mencionada, assinale a afirmativa correta. 
Alternativas
Respostas
1: C
2: A
3: A
4: D
5: E
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