Questões de Concurso Público IF-RN 2017 para Professor - Eletrônica

Considerando a Linguagem de Descrição de Hardware, VHDL, é correto afirmar que a

No momento em que ocorre uma transição ativa na entrada de clock de um flip-flop, o tempo de preparação e o tempo de manutenção são importantes para a confiabilidade da resposta às entradas de controle.

De acordo com esses parâmetros, o tempo de

Observe o diagrama de estados abaixo, que representa uma máquina de estados finitos:

Considerando que a sequência de sinais de entrada é e o estado inicial é S0, o diagrama acima representa, na classificação de máquinas de Mealy e de Moore, uma máquina do tipo

Em relação aos dispositivos lógicos programáveis, o FPGA

Analise a descrição do sistema digital abaixo.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Após a prototipagem dessa descrição, os valores obtidos de a, b e c foram, respectivamente, 110, 100 e 110.

O valor da constante x declarada na arquitetura GERAL para os resultados obtidos é

Em relação ao controle e acionamento de máquinas elétricas, é correto afirmar que

Analise a figura abaixo, que representa uma estrutura de portas complexas.

Fonte: FUNCERN, 2017.

A função lógica que representa a saída Z do circuito é

Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.

As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são

Analise a figura abaixo, que representa um circuito sequencial.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Assinale a opção em que estão representadas, corretamente, as formas de onda das saídas Q0 e Q1.

Analise a descrição abaixo de estados de um sistema sequencial.

• Entrada: x(t) ∈ {0,1,2,3]

• Saída: z(t) ∈ {a,b}

• Estado: s(t) ∈ {S₀ , S₁}

• Estado Inicial: s(0) = S₀

• Funções:

Assinale a opção que representa o diagrama de estados obtido, diretamente, dessas expressões.

Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (V_D= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ.

Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são

Analise a figura abaixo, que representa um circuito com diodos ideais.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor de pico da tensão de saída (vo) é de

Analise a figura abaixo, que projeta um circuito RC-AmpOp representativo de um filtro ativo.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Considerando os amplificadores operacionais ideais e a tensão de entrada (Vi) uma senóide, com 50 mV de pico, as frequências de corte inferior e superior e o valor médio quadrático da tensão de saída (Vo), para frequências no interior da banda de passagem, respectivamente, são

Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de

Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 10⁴ é o seu ganho de malha aberta.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de

Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

Para responder a questão, considere o texto abaixo.

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10^-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10^-19 C e ln 3 = 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de

Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.

Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,