Questões de Concurso Público SEGER-ES 2023 para Analista do Executivo - Engenharia Elétrica
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I. A tensão de saída é igual a Vout =
II. A potência dissipada por Q2 é, aproximadamente: PD = (VR1 - Vout)I RL .
III. A eficiência do circuito Eficiência =
IV. A corrente de emissor no transistor Q2 é IE = IRL + IR2 .
Está correto o que se afirma em
I. O circuito é um integrador com constante de tempo igual a 10 -3 .
II. A saída é uma onda quadrada, alternada, simétrica com tensão de pico a pico = 4V.
III. Para 0 < t < 2ms tem-se a função vi(t) = 2000t .
IV. Para 2ms < t < 4ms tem-se a função vi(t) = -2000t .
Está correto o que se afirma apenas em
O principal fenômeno apresentado pela figura denomina-se:
I. A tensão de ruptura reversa de um diodo semicondutor aumentará ou diminuirá em função da temperatura.
II. Os diodos de germânio são os mais utilizados para toda gama de dispositivos eletrônicos; têm a vantagem da pronta disponibilidade a um baixo custo e de uma corrente de saturação reversa relativamente baixa.
III. O diodo semicondutor é diferente de uma chave mecânica porque, quando o chaveamento for fechado, permitirá somente que a corrente flua em um sentido. IV. De um modo geral, quanto maior a corrente que passa através de um diodo maior o nível de resistência CC.
Está correto o que se afirma apenas em