Questões de Concurso Público Prefeitura de Rio Branco - AC 2024 para Engenheiro de Telecomunicações

Em sistemas de telecomunicações modernos, é comum o uso de dispositivos conversores de sinais analógicos em digitais para transmissão de sinais de informação. São processos de um dispositivo conversor de sinal analógico para digital

O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) tipo enriquecimento de canal n é um transistor de quatro terminais, sendo eles: porta (G), dreno (D), fonte (S) e corpo (B). Na maioria das aplicações, o terminal do corpo (B) é interconectado ao terminal da fonte (S), reduzindo o número de terminais para três. Nessa configuração, as tensões de Corrente Contínua (DC) dos terminais de porta (V_G), dreno (V_D) e fonte (V_S) determinam o ponto de polarização do dispositivo. Além disso, a análise do ponto de operação leva em consideração a tensão de limiar (V_t). A diferença de potencial entre dois terminais, como por exemplo entre os terminais D e S, utiliza a notação V_DS. Para operação como amplificador de sinais, o MOSFET é colocado na região de operação conhecida como saturação. Nessa região de operação 

Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa essencial. Para obter a saturação como modo de operação, é comum garantir a formação do canal n e fazer a interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração é amplamente utilizada para projeto de espelhos de corrente. Nessa configuração, os terminais curtoscircuitados são