Questões de Concurso Público UFMG 2023 para Físico
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Para manter a espira nivelada horizontalmente, deve-se produzir um torque com sentido oposto, o que pode ser feito colocando-se um objeto de massa m sobre a haste da balança, a uma distância do eixo de rotação de forma que se satisfaça a relação
CAMPOS, Agostinho Aurélio Garcia; ALVES, Elmo Salomão; SPEZIALI, Nivaldo Lúcio. Física experimental básica na universidade. 3ª ed. Belo Horizonte, 2018, p. 100. https://sites.google.com/view/febu/home.
A corrente da bobina foi ajustada para Io = (1,50 ± 0,01) A. Foram medidos pares de dados I versus X mostrados na figura 12 abaixo.
As dimensões da espira são l = (5,9 ± 0,1) cm e α = (12,8 ± 0,1) cm; e sua massa m = (0,62 ± 0.05) g.
Considerando a aceleração gravitacional g = (9,78 ± 0,05) m/s2 , é correto afirmar que o campo magnético no centro da bobina é
Assinale V (verdadeira) ou F (falsa) para as seguintes afirmativas:
( ) O valor do volume da célula primitiva é 16,98 (angstrons)3 .
( ) O valor do volume da célula primitiva é 67,92(angstrons)3 .
( ) Os átomos de ouro estão localizados nas arestas do cubo.
( ) Os átomos de ouro estão localizados nas arestas e nas faces do cubo.
( ) A célula unitária possui 2 átomos de ouro.
( ) A célula unitária possui 4 átomos de ouro.
( ) A célula unitária possui 8 átomos de ouro.
A sequência correta é:
HECHT, Eugene. Optics. 4th Ed.: Addison-Wesley Publishing, 2002, p. 321. (Adaptado).
Assinale V (verdadeira) ou F (falsa) para as afirmações abaixo:
( ) As equações de onda podem ser inicialmente escritas como: y (x,t) = yo sen ((0,0125nm-1)x – 6 s-1 t + 1,57).
( ) As equações de onda podem ser inicialmente escritas como: y (x,t) = yo cos ((0,0125nm-1)x – 6 s-1 t + 1,57).
( ) A diferença de caminho óptico, após a onda atravessar a cubeta, é de 0,025 ko .
( ) Depois de passar pela cuba, as ondas devem ser escritas como: Y (x,t) = yo sen ((0,0125nm-1)x – 6 s-1 t + 0,025).
A sequência correta é:
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 247.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) diante de cada afirmativa a seguir:
( ) Na inexistência de defeitos na superfície do semicondutor, a barreira dependerá da função trabalho do metal.
( ) A barreira Schottky surgirá sempre, porque o metal sempre causa defeitos no semicondutor.
( ) Superfícies semicondutoras ricas em defeitos tornam a barreira independente do metal.
Assinale a sequência correta.
Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.
Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:
( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.
( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.
( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.
Assinale a alternativa com a sequência correta.