Questões da Prova IESES - 2009 - CREA-SC - Agente Fiscal - Metalúrgica
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Com relação às características gerais do esquema de aterramento TN, assinale a única alternativa INCORRETA:
Assinale a única alternativa que determina a diferença entre um transistor tipo JFET (Junction Field-Effect Transistor) e um transistor bipolar:
Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:
I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.
II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.
III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.
IV. Aumentando-se VCB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.
A seqüência correta é:
A representação do número +6810, utilizando a notação sinal módulo será de:
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