Questões de Concurso
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Para otimizar a eficiência dos circuitos analógicos e de modo misto, uma prática comum é utilizar trilhas estreitas de polissilício para rotas de sinais que carregam corrente, visando reduzir a capacitância parasita, mesmo que isso possa resultar em um aumento da resistência do circuito; essa abordagem é frequentemente empregada na indústria para melhorar o desempenho geral do circuito.
Em sistemas CMOS VLSI, a integração de materiais piezoelétricos com avanços em nanotecnologia é realizada geralmente por meio de abordagens híbridas, em que os componentes são fabricados separadamente e depois combinados com o chip CMOS; isso assegura a eficiência e funcionalidade do conjunto, contribuindo significativamente para a sustentabilidade e autonomia energética desses dispositivos, sem comprometer as características individuais de cada tecnologia.
A tecnologia de semicondutor de óxido metálico complementar destaca-se no cenário de implementação de sinais mistos em tecnologia VLSI por sua capacidade de otimizar a densidade e a eficiência energética na esfera digital, bem como à sua versatilidade em fornecer um leque diversificado e adequado de componentes para a elaboração de projetos no espectro analógico.
A técnica de corrosão úmida possui uma vantagem com relação à corrosão a seco, pois é um processo isotrópico, que atua uniformemente em todas as direções.
Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.
As técnicas de deposição para filmes finos podem ser
classificadas em deposição física de vapor (PVD) e
deposição química de vapor (CVD).
Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.
A pulverização catódica (sputtering) é um processo de
deposição química de vapor (CVD) através de evaporação
térmica.
Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.
A deposição de camada atômica (ALD) é um processo que
permite gerar filmes finos uniformes, no entanto, apresenta
uma desvantagem com relação à precisão de espessura do
material, difícil de replicar.
Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.
Quando um fotorresiste negativo é aplicado no processo de
fabricação, as regiões expostas são removidas e as regiões
não expostas permanecem; no caso do fotorresistente
positivo, as regiões expostas permanecem e as regiões não
expostas são removidas.
Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.
Fotolitografia é o processo que, para escrever em um
material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala
nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a
produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de
fotorresistes.
Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.
Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no
substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com
comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de
máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL),
há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras
reflexivas.
Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.
A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução
do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter
limitações de difração óptica.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados
em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são
fabricados envolvidos em um poço tipo p.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a
tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento
das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção
no substrato, consequentemente, nessa região haverá um
fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons
negativos da fonte para o dreno do dispositivo.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é
necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor
da tensão de limiar do dispositivo.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A mobilidade de portadores em materiais semicondutores
depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do
dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo
elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Os semicondutores do tipo silício puro são classificados
como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes
condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da
indústria de circuitos microeletrônicos.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A energia da banda proibida é o valor mínimo de energia
necessário para liberar um elétron de sua ligação covalente.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se
movem da região de maior concentração para a região de
menor concentração; esse movimento define uma corrente
elétrica denominada corrente de difusão.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Uma junção p-n entra em equilíbrio quando o campo elétrico
da região de depleção atinge um valor nulo e interrompe as
correntes de deriva, ou seja, no equilíbrio, as correntes de
deriva criadas pelo campo elétrico são canceladas, resultando
na junção somente as correntes de difusão, criadas pelos
gradientes de concentração.
Pela primeira vez, o Brasil sediará uma conferência internacional de temática ambiental: a conferência sobre o clima, que será realizada em Rio Branco, no Acre.