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Q112744

Engenharia Elétrica Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica , Materiais Elétricos ,

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112744 Engenharia Elétrica

Assinale a opção correta com relação aos materiais isolantes, condutores e semicondutores.

Alternativas

Todo material semicondutor é isolante à temperatura de 0 K, logo, todo material isolante será semicondutor para temperaturas maiores que 0 K.

A condutividade de um material condutor é função das concentrações e das mobilidades de seus dois tipos de portadores: elétrons e lacunas.

O tamanho da região de energia proibida é maior no material semicondutor que no material condutor.

A constante de proporcionalidade entre a densidade de fluxo elétrico e o campo elétrico é chamada de permissividade elétrica.

A junção entre um material condutor (por exemplo, um metal) e um material isolante é conhecida como junção Schottky.

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Q112743

Engenharia Eletrônica Engenharia de Áudio e Telecomunicações ,

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112743 Engenharia Eletrônica

Considerando que uma barra semicondutora de comprimento L, largura w e espessura s seja percorrida por uma corrente elétrica no sentido do comprimento, que está posicionado na direção x, e esteja sujeita a um campo magnético perpendicular aplicado na direção z, assinale a opção correta.

Alternativas

A diferença de potencial entre os dois lados da barra é zero.

Se a barra semicondutora for do tipo N, aparecerá uma força magnética na direção negativa de y atuando sobre os portadores de carga.

Quando as forças elétricas e magnéticas que atuam sobre os portadores de carga se igualarem, aparecerá uma diferença de potencial constante entre os lados da barra, que é conhecida como tensão Hall.

A intensidade do campo magnético aplicado não influencia no valor da tensão Hall.

A polaridade da tensão Hall é a mesma para a barra semicondutora do tipo N e para a barra semicondutora do tipo P.

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Q112741

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112741 Engenharia Eletrônica

Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.

Alternativas

Em um transistor do tipo enriquecimento, NMOS, deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e fonte para que seja induzido um canal N.

No transistor MOS, o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.

O transistor MOS, quando é usado como amplificador linear, deve ser operado na região de triodo.

No transistor NMOS do tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipo P.

Por usar um canal induzido, o transistor NMOS tem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.

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Q112740

Engenharia Elétrica Circuitos Elétricos na Engenharia Elétrica , Circuitos CC ,

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112740 Engenharia Elétrica

Texto associado

No circuito da figura acima, com resistores, uma fonte de tensão constante, uma fonte de corrente constante de 3 A e uma fonte controlada pela corrente i₁, o valor da tensão e₂ é igual a

Alternativas

0 V.

5 V.

-9 V.

-11 V.

-13 V.

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Q112739

Engenharia Elétrica Medidas Elétricas ,

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112739 Engenharia Elétrica

Texto associado

A figura acima mostra um circuito resistivo, alimentado por uma fonte de tensão contínua e constante. Para se medir a potência dissipada no resistor R6, o procedimento correto consiste em conectar, ao resistor R6, um voltímetro e um amperímetro, respectivamente, em

Alternativas

paralelo e em série, para medir a tensão e a corrente do resistor, e multiplicar as duas medidas.

paralelo e em série, para medir a tensão e a corrente do resistor, e dividir a primeira pela segunda medida.

série e em paralelo, para medir a tensão e a corrente do resistor, e multiplicar as duas medidas.

série e em paralelo, para medir a tensão e a corrente do resistor, e dividir a primeira pela segunda medida.

paralelo e em paralelo, para medir a tensão e a corrente do resistor, e multiplicar as duas medidas.

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811: D

812: C

813: D

814: D

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