Questões de Concurso Para telebras

Acerca de faltas do tipo curto-circuito em redes elétricas trifásicas, julgue o próximo item.

As correntes de curto-circuito simétrico em cada fase têm diferentes magnitudes.

Acerca de faltas do tipo curto-circuito em redes elétricas trifásicas, julgue o próximo item.

Curtos-circuitos trifásicos e monofásicos são exemplos de faltas assimétricas.

Acerca de faltas do tipo curto-circuito em redes elétricas trifásicas, julgue o próximo item.

Em faltas do tipo fase-fase em que não há contato com a terra ― diretamente ou através de impedância de falta ―, a corrente de sequência zero é sempre nula.

Determinada empresa, visando ampliar o seu quadro técnico, investiu na contratação de novos profissionais para serviços em instalações elétricas e em eletricidade de suas dependências. Com a finalidade de capacitar esses profissionais, a empresa ofereceu curso sobre medidas de proteção coletiva e individual em trabalhos com instalações elétricas e com eletricidade. Considerando a situação hipotética descrita, julgue o item a seguir.

Considere a situação a seguir.

Um instrutor informou, durante uma capacitação, que medidas de proteção coletiva compreendem, prioritariamente, a desenergização da instalação elétrica. Nesse momento, um dos empregados alerta que evitar a desenergização das instalações elétricas faz parte da política da empresa, exceto quando as interrupções de energia duram, no máximo, 30 minutos e são efetuadas durante a madrugada.

Nessa situação, sendo confirmada a informação do empregado, a medida adequada a ser adotada, visando assegurar a segurança dos profissionais envolvidos, é restringir todos os serviços de manutenção nas instalações elétricas da empresa para o período da madrugada.

Com relação a microcomputadores, julgue o item abaixo.

O acesso à memória no disco rígido, denominada memória cache, é, em geral, mais rápido que o acesso à memória principal do microcomputador, pois a memória principal é um tipo de memória dinâmica e a memória do disco rígido, um tipo de memória estática semicondutora de alta velocidade.