Questões de Concurso Para pesquisador

Considerando os diferentes tipos de ensaio para a determinação da qualidade de produtos e dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 

Um dispositivo eletrônico submetido a um ensaio para determinação da sua proteção quanto a riscos de incêndios é considerado seguro quando ele não apresenta chama ao ser submetido a uma tensão de circuito aberto de 230 V (com 5% de tolerância) e corrente de curto-circuito igual a 5,75 A (com 5% de tolerância).

Considerando os diferentes tipos de ensaio para a determinação da qualidade de produtos e dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 

Ensaios de microscopia ótica são adequados para a determinação de possíveis defeitos existentes na estrutura de uma placa de circuito impresso. 

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A condutividade elétrica do material de construção do dispositivo em questão é maior que 2×10⁵ (Ω∙m)⁻¹.

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A condutividade elétrica do dispositivo eletrônico em questão é maior que a condutividade elétrica de um dispositivo com as mesmas características estruturais, fabricado com silício (Si).

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.