Questões de Concurso Para oficial técnico de inteligência

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Ano: 2017 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ABIN
Q1211852 Eletricidade
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

Alternativas
Ano: 2017 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ABIN
Q1211836 Eletricidade
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

Alternativas
Ano: 2017 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ABIN
Q1211741 Eletricidade
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

Alternativas
Ano: 2017 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ABIN
Q1211692 Engenharia Elétrica
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.


Alternativas
Ano: 2017 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ABIN
Q1211564 Engenharia Elétrica
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
Alternativas
Respostas
46: C
47: C
48: E
49: E
50: C