Questões de Concurso Para oficial técnico de inteligência

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga R_L é menor do que 12 volts.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

Caso a resistência de carga seja reduzida de 100 ohms para 50 ohms, a tensão de ondulação na tensão de saída irá se reduzir à metade.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

Nesse circuito, a lei de Kirchoff aplicada na malha mais à esquerda, na qual passa a corrente I₁, e que contêm a fonte E₁ e os resistores R₁ e R₂, é a seguinte: E₁ + R₁I₁ + R₂(I₁+I₂) = 0.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

A corrente I₂ é igual a 0,5 mA.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

O modelo de Norton equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R₄ e da fonte E₂, é formado por uma fonte de corrente equivalente de Norton com corrente de 1,2 mA em paralelo com uma resistência equivalente de Norton de 4 kΩ.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

O modelo de Thévenin equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R₄ e da fonte E₂, é formado por uma fonte equivalente de Thévenin com tensão de 5 V em série com uma resistência equivalente de Thévenin de 4 kΩ.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.

Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.

Considerando-se uma barra metálica de comprimento L, área A, resistividade ρ e resistência R, se tanto o comprimento L quanto a área A dessa barra aumentarem em 10%, sem que haja mudança na resistividade, a resistência R dessa barra aumentará em 21%.

Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.

Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.