Questões de Concurso Para engenharia eletrônica
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Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à
largura do canal do MOSFET.
No processo de design de um amplificador operacional CMOS, a seleção do tamanho dos dispositivos MOSFET e das correntes de polarização tem influência direta em parâmetros tais como ganho, CMRR, dissipação de potência, ruído e taxa de variação (slew rate). Esse processo é iterativo e requer ajustes baseados em simulações, em que aumentar o tamanho dos MOSFETs (aumentando W) com uma menor VGS (tensão entre porta e fonte) pode melhorar o emparelhamento, aumentar o ganho e reduzir o ruído, porém, podendo resultar em uma área de layout maior e potencialmente em menor velocidade de operação.
No amplificador operacional CMOS mostrado, o amplificador diferencial deve fornecer a maior parte do ganho do sistema, enquanto o estágio de ganho em fonte comum serve principalmente para prover a compensação de frequência necessária; o buffer de saída é utilizado para equalizar as tensões de entrada diferencial sem amplificar o sinal.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Nos circuitos CMOS, devido à diferença de mobilidade entre
lacunas e elétrons em materiais semicondutores, os
transistores NMOS usados em circuitos digitais têm
aproximadamente o dobro do tamanho dos transistores
PMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Em materiais semicondutores fabricados com silício, a
mobilidade de elétrons é maior que a mobilidade das
lacunas, por isso, na fabricação de circuitos de alto
desempenho e baixo consumo, é empregada,
predominantemente, a tecnologia que utiliza apenas
transistores NMOS.
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