Questões de Vestibular UECE 2011 para Vestibular, Física e Química

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Ano: 2011 Banca: UECE-CEV Órgão: UECE Prova: UECE-CEV - 2011 - UECE - Vestibular - Física e Química |
Q238583 Química
Os novos vales do silício estão localizados nos seguintes países que são considerados polos de inovação: Chile (em Santiago: montanha do silício), Israel (em Tel Aviv: deserto do sílicio), Índia (Bangalore: planalto do silício) e em Taiwan (Hsinchu: ilha do silício). O silício, que é o segundo elemento mais abundante na Terra, é utilizado na preparação de silicones, na indústria cerâmica e, por ser um material semicondutor, desperta interesse na indústria eletrônica e microeletrônica, como material básico para a produção de transistores para chips, células solares e em diversas variedades de circuitos eletrônicos. Um dos métodos de se obter o silício é através do triclorosilano, gás que se decompõe depositando silício adicional em uma barra segundo a reação: HSiCl3 → Si+HCl+SiCl4. Como os coeficientes dessa equação química não estão ajustados, ajuste-os e determine a quantidade de silício depositado quando se usa 27,1 t de HSiCl3
Alternativas
Respostas
1: C