Questões Militares de Eletrônica

Analise a figura a seguir. 

Com relação ao circuito acima, assinale a opção que apresenta os valores da resistência de R_L para a máxima transferência de potência e para uma eficiência de 75%, respectivamente.  

Dados:

•    R₁ = 15Ω

•    R₂ = 8Ω

•    R₃ = 7Ω

•    I = 15A

•    E₁ = 10V

Dada a equação diferencial  com as condições de contorno y(0) = ý (0) = u (0) = 0, a função de transferência G (S) = Y (s) / U (s) é igual a :

A equação característica dos circuitos RLC em série e em paralelo tem a forma     onde α = 1/2 RC para o circuito em paralelo, α₀ = R/2L para o circuito em série e  nos dois casos. Assim, para qual condição o circuito será subamortecido? 

A razão áurea φ é um número formado a partir da sequência de Fibonacci, que é frequentemente observada na natureza além de ser também bastante utilizada por artistas, arquitetos e escultores por permitir proporções mais agradáveis ao espírito. Considere {a_n} sequência de Fibonacci e assinale a opção que apresenta o valor de φ = lim_n→+∞ (a_n+1/ a_n).

Sobre os transistores de efeito de campo (MOSFET), analise as afirmativas abaixo e assinale a opção correta.
I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO₂).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.