Questões Militares Sobre eletrônica
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Indique a alternativa com forma de onda da saída em RL.
Indique a alternativa com o nome da etapa responsável pelo processo abaixo.
No circuito abaixo, o transistor Q2 está saturado. Assinale a alternativa que contém a assertiva correta.
Obs.: considere as saídas sobre os coletores.
Avalie as informações abaixo.
I - O acesso a uma dada localidade de memória pode ser feito de forma sequencial ou aleatória.
II - A memória RAM é o principal tipo de memória cujo acesso aos dados gravados é feito de forma sequencial.
III - A EPROM é a denominação dada a uma memória ROM que possui alta densidade de armazenamento.
Está correto o que se afirma apenas em
Considere o circuito abaixo e os sinais aplicados nas respectivas entradas.
O circuito em questão executa a função de um comparador
com resistores de entrada de mesmo valor. O sinal desenvolvido na
carga (saída do amplificador operacional) é
A expressão booleana S = 
pode ser escrita
também da seguinte forma:
( ) Associando-se dois capacitores em série, obtém-se um valor capacitivo resultante menor que o capacitor de menor valor da associação. ( ) Dois indutores ligados em paralelo resultam em um valor indutivo que corresponde à soma direta dos valores indutivos da associação. ( ) Ligando-se 10 resistores (R) em paralelo, sendo todos eles de mesmo valor, o valor resistivo resultante da associação será maior que 5R. ( ) Capacitores ligados em paralelo proporcionam um valor capacitivo resultante que corresponde à soma dos valores dos capacitores da associação.
Calcule o valor de Vo no circuito abaixo e indique a alternativa correta.
e(t) = (8 + 2cos 2π.1500t).cos 2π.400000t
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