Questões Militares
Sobre redes industriais em engenharia eletrônica
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Analise a figura a seguir.
A figura acima apresenta uma topologia de rede local padrão Ethernet utilizando hubs e switch, com as estações configuradas na mesma sub-rede lógica. Em relação a essa figura pode-se afirmar que possui:
I - um domínio de broadcast.
II - três domínios de broadcast.
III- nenhum domínio de broadcast.
IV - um domínio de colisão.
V - três domínios de colisão.
Assinale a opção correta
Analise a tabela a seguir.
Considere as especificações do circuito integrado TTL 7400
(4 portas NE de 2 entradas na versão padrão), apresentadas
na tabela acima. Calcule o Fan-out {número máximo de
blocos lógicos que podem ser ligados à saída de outro da
mesma família) para ligações da mesma família especificada,
assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
A figura a acima apresenta uma topologia de rede local
padrão Ethernet que utiliza hubs e switch, onde as estações
estão configuradas na mesma sub-rede lógica. Considerando-se
a rede e a tabela MAC do switch, apresentadas acima, é correto afirmar que se a estação A enviar um datagrama IP
destinado à estação E, o datagrama IP será recebido pelas
estações:
Observe a figura abaixo.
Considerando as redes formadas pelos roteadores Rot_A, Rot_B
e Rot_C, quantas sub-redes estão presentes nessa figura?
Observe a figura abaixo.
De acordo com a figura acima, em relação à sub-rede
215.1.1.0/24, pode-se afirmar que
Correlacione as colunas abaixo com base nos modos de endereçamento básicos e seu algoritmo. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.
1. Imediato.
2. Direto.
3. Indireto.
4. Registrador.
5. Indireto via registrador.
6. Pilha.
( ) EA = (A)
( ) Operando = A
( ) EA=R
( ) EA = topo da pilha
( ) EA = A
( ) EA = (R)
Leia a afirmação abaixo sobre interface de sistemas de computação pequenos (SCSI) e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Quando sua operação é iniciada (após o computador ser ligado ou reinicializado), o barramento entra
na fase de Barramento Livre. Essa fase é seguida por uma fase de ________________, que
normalmente resulta na aquisição do controle do barramento por um dispositivo. Caso a
______________ falhe, o barramento retorna à fase de Barramento Livre. Se a ______________ é
bem-sucedida, o barramento entra na fase de ______________ ou de restabelecimento de conexão, que
determina o dispositivo iniciador e o dispositivo-alvo para a transferência. Uma vez determinados o
iniciador e o alvo, haverá uma ou mais fases de transferência de informação (Comando, Dados, Estado
ou Mensagem) entre os dois dispositivos. A fase final de transferência de informação é, normalmente,
uma fase de entrada de mensagem, em que é enviada uma mensagem de ______________ ou de
______________ para o iniciador, sendo seguida pela fase de ______________.
Sobre duas famílias de circuitos lógicos integrados, TTL e CMOS, analise as afirmações abaixo, marque V para verdadeiro e F para falso e, em seguida, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) O efeito de “latch-up” é um benefício da tecnologia CMOS sobre a TTL.
( ) Circuitos CMOS funcionam normalmente mesmo com portas de entrada em aberto.
( ) Circuitos CMOS dissipam menos energia que circuitos TTL quando trabalhando em corrente contínua.
( ) A capacitância existente em cada entrada de circuitos CMOS limita o número de entradas que
podem ser associadas a uma saída.
DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
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