Questões Militares
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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Para o circuito da figura acima, qual o valor da corrente de dreno do MOSFET de modo intensificação, sabendo-se que Vdd= +20V; Vgs= + 3V; a tensão de limiar ou tensão de THRESHOLD (Vgs (th) = Vto) é igual a + 0 , 4V; Vgs (on) = Vgs (ligado) = + 6V; e que Id (on) = Id (ligado) = + 1mA?
Observe o circuito de polarização estável do emissor apresentado na figura a seguir.
Qual será o valor de tensão VBC no transistor Q1 acima?
O circuito apresentado na figura acima, comumente chamado seguidor zener, combina um regulador zener com um seguidor de emissor. Devido a sua simplicidade, este circuito é bastante utilizado, sendo sua desvantagem principal a dissipação de potência pelo transistor de passagem, 01. Considerando que Q1 tem um βcc de 100, Ic ≅ IE, R1 = 500Ω e R2 = 10Ω, qual o valor da corrente cc que passa através do diodo zener, Iz, e o valor da potência dissipada pelo transistor de passagem, PD, respectivamente?
Considerando que no circuito acima Vbe= 0,7V; ß= 50; e Ic=Ie, é correto afirmar que o valor de Ve, Ic e Ib de polarização CC são, respectivamente:
Analise as afirmativas a seguir sobre estrutura de transistores TJB (Transistor de junção bipolar) e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Em TJBs, a corrente de _________ é, normalmente, desprezada por ser muito pequena, e apenas a corrente de _________ é considerada.
TJBs reais ___________ estrutura simétrica, portanto, se em um circuito o coletor e emissor forem
trocados por engano, o circuito resultante _________ mesmo efeito.
Analise o seguinte circuito CC de polarização de um transistor de junção bipolar e assinale a alternativa que corresponde corretamente à expressão de cálculo da corrente de emissor “Ie”. (Considere β=10)
Analise o circuito que se segue.
Utilizando a modelagem re no transistor, calcule Av (Ganho de Tensão) no circuito acima, e , a seguir, assinale a opção correta, considerando os seguintes dados:
Observe o circuito a seguir.
Qual é o valor de VCE relativa ao ponto de operação do circuito
acima?
Considere o circuito amplificador de pequenos sinais colocado na figura a seguir. Informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma abaixo e depois assinale a alternativa que apresenta a seqüência correta.
( ) O transistor é NPN e a configuração é base-comum, o que permite um alto ganho de corrente.
( ) Os capacitores de descoplamento (C1, C2 e CE) devem ter valores iguais para impedir que o transistor oscile.
( ) O resistor de emissor é utilizado para melhorar a estabilidade da polarização do circuito.
( ) O capacitor de emissor é utilizado apenas para aumentar a impedância de entrada do circuito.
DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
Considere o circuito amplificador de pequenos sinais que foi alterado pela adição de um resistor de emissor RE, conforme colocado na figura a seguir. Informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma abaixo e depois assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) A colocação do resistor de emissor melhora a estabilidade da polarização do circuito.
( ) A colocação do resistor de emissor diminui o ganho de tensão do circuito.
( ) A colocação do resistor de emissor aumenta a impedância de entrada do circuito.
( ) A colocação do resistor de emissor aumenta a impedância de saída do circuito.
DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
Sobre transistores de junção bipolar, informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma abaixo e depois assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) A configuração em base comum pode fornecer um elevado ganho de corrente.
( ) A configuração em emissor comum pode fornecer um elevado ganho de tensão.
( ) A configuração em emissor comum pode fornecer um elevado ganho de corrente.
( ) A configuração em coletor comum pode fornecer um elevado ganho de corrente.
Observe a figura a seguir.
No circuito acima, qual a corrente de coletor do transistor T1?
Dados:
VBE= 0, 7V e β=200 do transistor T1
Capacitores C1 e C2 = 10μF
Observe a figura a seguir.
Como é denominado este tipo de oscilador?
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