Questões de Concurso Militar Quadro Complementar 2022 para 2º Tenente - Eletrônica
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I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO2).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.
Dada a equação diferencial com as condições de contorno y(0) = ý (0) = u (0) = 0, a função de transferência G (S) = Y (s) / U (s) é igual a :
Analise a figura a seguir.
Com relação ao circuito acima, assinale a opção que apresenta os valores da resistência de RL para a máxima transferência de potência e para uma eficiência de 75%, respectivamente.
Dados:
• R1 = 15Ω
• R2 = 8Ω
• R3 = 7Ω
• I = 15A
• E1 = 10V