Questões Militares
Para engenharia eletrônica
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DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
Sobre diodos semicondutores, informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma abaixo e depois assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) Um diodo retificador possui alta impedância elétrica quando polarizado reversamente.
( ) Um diodo zener pode operar como regulador de tensão quando polarizado reversamente.
( ) Um LED (Light Emitting Diode) emite luz quando polarizado reversamente.
( ) Um diodo túnel possui uma região de resistência negativa quando polarizado reversamente.
DADOS:
Valores de tangente:
tan(0°) = 0, tan(30°) = (√3)/3, tan(45°) = 1, tan(60°) = √3, tan(90°) = ∞, tan(180°-α) = -tan(α), tan(-α) = -tan(α).
Valores de seno:
sen(0°) = 0, sen(30°) = 1/2, sen(45°) = (√2)/2, sen(60°) = (√3)/2, sen(90°) = 1, sen(90°-α) = cos(α), sen(180°-α) = sen(α), sen(-α) = -sen(α).
Valores de cosseno:
cos(0°) = 1, cos(30°) = (√3)/2, cos(45°) = (√2)/2, cos(60°) = 1/2, cos(90°) = 0, cos(90°-α ) = sen(α), cos(180°-α) = -cos(α), cos(-α) = cos(α).
Transformada de Laplace:
L{f(t)} = F(s), L{exp(-at)} = 1/(s+a), L{1 - exp(-at)} = a/(s(s+a)), L{cos(at)} = s/(s2 +a2 ), L{sen(at)} = a/(s2 +a2).
Resistividade aproximada dos condutores de cobre:
seção transversal de 1,5 mm2 = 10 Ω/km, seção transversal de 2,5 mm2 = 7 Ω/km,
seção transversal de 4 mm2 = 4 Ω/km, seção transversal de 6 mm2 = 3 Ω/km.
Representação de número complexo em forma polar: a∠b onde a é o módulo e b o argumento.
Representação do complemento do valor A: Ā
Considere o circuito colocado na figura a seguir, onde R = 100 Ω, C = 10 µF, L = 0,4 H, tensão inicial no capacitor vC(0) = 0 V e corrente inicial no indutor iL(0) = 5 mA. A tensão no capacitor em função do tempo vC(t) é
Correlacione as colunas abaixo com base nos tipos de operações básicas de um microprocessador e um exemplo de nome de operação correspondente. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.
1. Operações de transferência de dados.
2. Operações aritméticas.
3. Operações lógicas.
4. Operações de E/S.
5. Operações de transferência de controle.
6. Operações de conversão
( ) Jump.
( ) Write.
( ) Push.
( ) Translate.
( ) Increment.
( ) AND.
Correlacione as colunas abaixo com base nos modos de endereçamento básicos e seu algoritmo. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.
1. Imediato.
2. Direto.
3. Indireto.
4. Registrador.
5. Indireto via registrador.
6. Pilha.
( ) EA = (A)
( ) Operando = A
( ) EA=R
( ) EA = topo da pilha
( ) EA = A
( ) EA = (R)
Leia a afirmação abaixo sobre arquitetura superescalar e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Uma implementação superescalar de uma arquitetura de processador é uma implementação na qual
instruções usuais – a aritmética de números inteiros e de números de ponto flutuante, instruções de
carga e armazenamento e instruções de desvio – podem ser iniciadas ____________ e executadas
____________. Tais implementações suscitam diversas questões de projeto bastante complexas,
relacionadas à pipeline de instruções.
A técnica chamada Memória de laço de repetição utiliza uma pequena memória de alta velocidade, mantida pelo estágio de busca de instrução da pipeline, que é usada para manter as n instruções buscadas mais recentemente, em sequência. Caso o desvio seja tomado, o hardware verifica primeiramente se a instrução-alvo do desvio está armazenada nessa área de memória. Em caso afirmativo, a próxima instrução é buscada nessa área.
Analise as afirmações abaixo sobre as vantagens dessa técnica, marque V para verdadeiro e F para falso e, em seguida, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) Com o uso de busca antecipada, a memória de laço de repetição conterá certo número de instruções que estão à frente da instrução corrente na sequência de instruções do programa. Portanto, as instruções seguintes estarão disponíveis sem requerer o tempo usual de acesso à memória.
( ) Se ocorrer um desvio para um endereço-alvo localizado apenas algumas posições adiante do endereço da instrução de desvio, esse alvo já estará na memória de laço de repetição. Isso é útil por ser comum a ocorrência de sequências de comandos IF-THEN e IF-THEN-ELSE.
( ) Essa estratégia é particularmente adequada para lidar com laços de repetição ou iterações, daí, o
nome memória de laço de repetição. Se essa memória for suficientemente grande para conter
todas as instruções de um laço de repetição, essas instruções terão de ser buscadas da memória
apenas uma vez, para a primeira iteração. Nas iterações subsequentes, todas as instruções
necessárias já estarão nessa área de memória.
Leia a afirmação abaixo sobre interface de sistemas de computação pequenos (SCSI) e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Quando sua operação é iniciada (após o computador ser ligado ou reinicializado), o barramento entra
na fase de Barramento Livre. Essa fase é seguida por uma fase de ________________, que
normalmente resulta na aquisição do controle do barramento por um dispositivo. Caso a
______________ falhe, o barramento retorna à fase de Barramento Livre. Se a ______________ é
bem-sucedida, o barramento entra na fase de ______________ ou de restabelecimento de conexão, que
determina o dispositivo iniciador e o dispositivo-alvo para a transferência. Uma vez determinados o
iniciador e o alvo, haverá uma ou mais fases de transferência de informação (Comando, Dados, Estado
ou Mensagem) entre os dois dispositivos. A fase final de transferência de informação é, normalmente,
uma fase de entrada de mensagem, em que é enviada uma mensagem de ______________ ou de
______________ para o iniciador, sendo seguida pela fase de ______________.
Correlacione as colunas abaixo com base nos conceitos e nas características de organização de sistemas microprocessados. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.
1. CPU.
2. Memória.
3. E/S.
( ) Local para armazenar instruções e dados temporariamente.
( ) Controla a operação do computador e desempenha funções de processamento de dados.
( ) Muitas vezes, chamado simplesmente de processador.
( ) Transfere dados entre o computador e o ambiente externo.
( ) Existem três técnicas principais: programada, dirigida por interrupção e acesso direto à memória.
( ) Organizada de maneira hierárquica, sendo o nível superior (mais
próximo do processador) constituído de registradores do processador.
Sobre a arquitetura de processadores, correlacione as colunas e assinale a alternativa que contém a associação correta.
1. Arquitetura Pipeline.
2. Arquitetura Superescalar.
( ) Pode processar diversos fluxos de cada vez.
( ) Não possui paralelismo no nível de instruções.
( ) Possui limitações do tipo conflito de recursos.
( ) Emprega técnicas de atraso de instruções de desvio para maximizar a utilização da fila de instruções.
( ) Método padrão de implementação de microprocessadores de
alto desempenho.
De acordo com a utilização de barramentos, correlacione a coluna de barramentos à coluna de dispositivos/periféricos que são conectados a esses. Em seguida, assinale a alternativa que apresenta a associação correta.
1. Barramento local.
2. Barramento de sistema.
3. Barramento de alta velocidade.
4. Barramento de expansão.
( ) Memória principal.
( ) Processador.
( ) FireWire.
( ) Rede local.
( ) Interface serial.
( ) Dispositivo gráfico.
( ) Fax.
( ) Memória cache.
( ) Controlador de vídeo.
Dado o circuito do amplificador operacional abaixo, assinale a alternativa que corresponde respectivamente às resistências R1 e R2 para que o ganho seja de -25V/V.
Analise a afirmativa a seguir e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
É desejável que amplificadores operacionais possuam __________ impedância de entrada,
___________ impedância de saída, ganho __________ e offset __________.
Associe a coluna da direita com a da esquerda e assinale a alternativa que apresenta a relação correta.
1. Deve possuir alta impedância de entrada e saída.
2. Deve possuir alta impedância de entrada e baixa impedância de saída.
3. Deve possuir baixa impedância de entrada e alta impedância de saída.
4. Deve possuir baixa impedância de entrada e saída.
( ) Amplificador de voltagem.
( ) Amplificador de corrente.
( ) Amplificador de transcondutância.
( ) Amplificador de
transresistência.
Muitos circuitos amplificadores possuem realimentação. Sobre os efeitos de realimentação, analise as afirmações abaixo, marque V para verdadeiro e F para falso e, em seguida, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) O uso de realimentação reduz ruídos na saída.
( ) Pode fornecer controle sobre as impedâncias de entrada ou saída.
( ) Extende a largura de banda do amplificador.
( ) Reduz a distorção gerando ganho constante.
Associe a coluna da direita com a da esquerda e assinale a alternativa que apresenta a relação correta.
1. Utilizado para gerar um ponto “terra” ao emissor.
2. Utilizado para que o sinal a ser amplificado não gere distúrbios às tensões e às correntes de polarização.
3. Em um amplificador emissor-comum, é associado ao emissor para aumento de performance, ao custo de diminuição do ganho.
4. Influencia a impedância de entrada em amplificadores coletor-comum.
( ) Resistor de emissor.
( ) Capacitor de acoplamento.
( ) Capacitor de Derivação.
( ) Carga.
Analise as seguintes afirmativas e preencha as lacunas correta e respectivamente de acordo com as características de sinal CA de saída em amplificadores TJB.
Em amplificadores coletor-comum, o sinal de saída está _________ com o sinal de entrada.
Em amplificadores emissor-comum, o sinal de saída está _________ com o sinal de entrada.
Em amplificadores base-comum, o sinal de saída está _________ com o sinal de entrada.
Analise as afirmativas a seguir sobre estrutura de transistores TJB (Transistor de junção bipolar) e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Em TJBs, a corrente de _________ é, normalmente, desprezada por ser muito pequena, e apenas a corrente de _________ é considerada.
TJBs reais ___________ estrutura simétrica, portanto, se em um circuito o coletor e emissor forem
trocados por engano, o circuito resultante _________ mesmo efeito.
Analise o seguinte circuito CC de polarização de um transistor de junção bipolar e assinale a alternativa que corresponde corretamente à expressão de cálculo da corrente de emissor “Ie”. (Considere β=10)
Analise as afirmativas a seguir e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Memórias RAM __________ armazenam dados baseados na carga de capacitores.
Memórias RAM __________ armazenam dados em flip-flops com portas lógicas.
Memórias RAM __________ necessitam de um sistema de regeneração de dados.
Memórias RAM __________ são voláteis, e perdem os dados quando desenergizadas.
Memórias RAM __________ possuem mais células de memória por unidade de área que RAMs __________.
Memórias RAM __________ são, em geral, mais rápidas que RAMs _________.
Analise as afirmativas a seguir e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
As _______ utilizam uma rede EEPROM que permite que essas sejam reprogramáveis.
________ possuem portas _____ e _____ em sua estrutura, entretanto, apenas as portas ________ são
programáveis.
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