Questões de Concurso
Comentadas sobre eletrônica analógica em eletrônica
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Em relação a sistemas de comunicação analógicos e digitais, julgue o seguinte item.
Em comparação com a modulação por codificação de pulso
diferencial adaptativa, a modulação delta, usando uma
mesma taxa de amostragem, permite codificar um sinal em
banda-base com menor número de bits.
Julgue o item subsequente, a respeito de eletrônica analógica e eletrônica digital.
Um amplificador operacional ideal responde à diferença de
sinais entre suas entradas, o que caracteriza a propriedade
denominada amplificação inversora.
Julgue o item subsequente, a respeito de eletrônica analógica e eletrônica digital.
Um transistor bipolar de junção pode ser utilizado como uma
chave eletrônica, desde que esteja configurado em coletor
comum.
Julgue o item subsequente, a respeito de eletrônica analógica e eletrônica digital.
Os circuitos integrados com tecnologia CMOS
(complementary metal-oxide semiconductor) utilizam
transistores de efeito de campo na sua construção.
A respeito de eletrônica analógica, julgue o item que se segue.
Transistor bipolar de junção é um dispositivo semicondutor
amplificador composto por, pelo menos, três terminais: emissor,
base e coletor.
O fenômeno de fotocondução que ocorre em materiais semicondutores destacou-se por sua aplicação em células fotovoltaicas para geração de energia elétrica a partir da energia solar. A energia do fóton incidente sobre o material deve ser suficiente para que o elétron seja excitado da banda de valência para a banda de condução. Logo, o comprimento de onda máximo da luz que irá produzir a fotocondução está relacionado ao gap de energia no material semicondutor. Dado um semicondutor CdS (Egap = 2,59 eV), o comprimento de onda máximo do fóton necessário para produzir um par elétron-buraco no mateiral será de aproximadamente: (Considere: h=6,63x10-34 J.s; c=3,0x108 m/s).
No que se refere a aplicações e princípios da eletrônica digital, julgue o item que segue.
Um conversor digital-analógico de 5 bites que produz 0,3 V
na saída quando a entrada é 00001 produzirá 9,3 V de saída
se a entrada for 11111.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a
tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento
das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção
no substrato, consequentemente, nessa região haverá um
fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons
negativos da fonte para o dreno do dispositivo.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é
necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor
da tensão de limiar do dispositivo.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A mobilidade de portadores em materiais semicondutores
depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do
dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo
elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Os semicondutores do tipo silício puro são classificados
como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes
condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da
indústria de circuitos microeletrônicos.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A energia da banda proibida é o valor mínimo de energia
necessário para liberar um elétron de sua ligação covalente.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se
movem da região de maior concentração para a região de
menor concentração; esse movimento define uma corrente
elétrica denominada corrente de difusão.
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Uma junção p-n entra em equilíbrio quando o campo elétrico
da região de depleção atinge um valor nulo e interrompe as
correntes de deriva, ou seja, no equilíbrio, as correntes de
deriva criadas pelo campo elétrico são canceladas, resultando
na junção somente as correntes de difusão, criadas pelos
gradientes de concentração.