O fenômeno de fotocondução que ocorre em materiais semicondu...

Alternativa correta: A - 479 nm.

Vamos entender o fenômeno de fotocondução em materiais semicondutores. Esse fenômeno ocorre quando a luz incide sobre um material semicondutor, fazendo com que elétrons sejam excitados da banda de valência para a banda de condução, gerando assim um par elétron-buraco. Para que isso aconteça, a energia do fóton incidente deve ser igual ou superior ao gap de energia do material.

No caso do semicondutor CdS, o gap de energia é de 2,59 eV. Para encontrar o comprimento de onda máximo que pode ainda causar essa excitação, usamos a relação entre energia e comprimento de onda: E = h*c/λ, onde E é a energia do fóton, h é a constante de Planck, c é a velocidade da luz, e λ é o comprimento de onda.

Transformando a energia de elétron-volts para joules (1 eV = 1,6 x 10^-19 J), temos:

E = 2,59 eV * 1,6 x 10^-19 J/eV = 4,144 x 10^-19 J.

Substituímos na fórmula para encontrar λ:

λ = h*c/E = (6,63 x 10^-34 J.s * 3,0 x 10^8 m/s) / 4,144 x 10^-19 J ≈ 4,79 x 10^-7 m = 479 nm.

Portanto, o comprimento de onda máximo é aproximadamente 479 nm, que corresponde à alternativa A.

Agora, vamos justificar as alternativas incorretas:

• B - 230 nm: Este valor de comprimento de onda é muito pequeno, indicando uma energia de fóton maior do que a necessária para o CdS.
• C - 816 nm: Este valor é muito grande, o que significa que a energia do fóton seria menor do que o exigido para atravessar o gap do CdS.
• D - 624 nm: Este valor de comprimento de onda também é maior do que o necessário, indicando insuficiência energética para excitar os elétrons.
• E - 359 nm: Apesar de mais próximo, ainda representa uma energia de fóton maior do que a mínima necessária.

Com base nesses cálculos e explicações, a resposta correta é a alternativa A - 479 nm, que está em conformidade com o valor calculado.

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