Questões de Concurso
Comentadas sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 37 questões
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818092
Eletrônica
Selecione a alternativa que complete corretamente a frase, considerando
um transistor bipolar genérico:
O ganho de corrente é sempre a razão da __________________.
Ano: 2015
Banca:
IF-MG
Órgão:
IF-MG
Prova:
IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q818091
Eletrônica
Para um transistor bipolar cujo o ganho de corrente é igual a 200 e a
corrente de coletor é igual a 100mA. Qual o valor da corrente de Base?
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I |
Q797746
Eletrônica
Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos,
identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas:
( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são
usados em aplicações envolvendo altas frequências.
( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um
diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio.
( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando
assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor.
( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa
corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas
frequências quando comparados com os transistores bipolares.
( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
Q779128
Eletrônica
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
MOSFETs são transistores que, quando operados como
chave em circuitos de eletrônica de potência,
apresentam resistência de condução muito pequena.
Q779127
Eletrônica
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
Transistores bipolares de potência caracterizam-se por
apresentar ganho β superior a 1.000, por isso são
chamados de transistores de potência.
Ano: 2016
Banca:
FIOCRUZ
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FIOCRUZ - 2016 - FIOCRUZ - Técnico em Saúde Pública - Eletrônica |
Q767429
Eletrônica
Analise as assertivas sobre os transistores.
1 - BJT é um dispositivo que se encontra normalmente ligado, sendo desativado por uma corrente de base.
2 - JFET é um dispositivo que se encontra normalmente desligado, sendo ativado por uma tensão de gatilho.
3 - MOSFET emprega uma estrutura de gatilho isolado.
4 - FET’s de potência não possuem algumas das limitações dos transistores bipolares.
Das afirmativas acima: estão corretas:
Ano: 2016
Banca:
FIOCRUZ
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FIOCRUZ - 2016 - FIOCRUZ - Técnico em Saúde Pública - Eletrônica |
Q767426
Eletrônica
O componente eletrônico que tem como fator diferencial
a amplificação de tensão é denominado:
Ano: 2016
Banca:
FIOCRUZ
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FIOCRUZ - 2016 - FIOCRUZ - Técnico em Saúde Pública - Eletrônica |
Q767405
Eletrônica
Normalmente o FET é polarizado para operar após
o estrangulamento na região de saturação da corrente,
onde o dispositivo tem sua operação definida mais facilmente
pela equação de Schockley.
Considerando um FET canal n com tensão de estrangulamento = - 3 V, corrente de saturação = 10 m A e tensão de polarização = 1,8 V, a corrente de dreno, em m A, vale:
Considerando um FET canal n com tensão de estrangulamento = - 3 V, corrente de saturação = 10 m A e tensão de polarização = 1,8 V, a corrente de dreno, em m A, vale:
Ano: 2014
Banca:
COSEAC
Órgão:
UFF
Prova:
COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q507422
Eletrônica
Sobre o transistor, é correto afirmar que na região:
Ano: 2014
Banca:
COSEAC
Órgão:
UFF
Prova:
COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q507405
Eletrônica
Com relação à refrigeração em um semicondutor, é correto afirmar que:
Ano: 2014
Banca:
COSEAC
Órgão:
UFF
Prova:
COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q507402
Eletrônica
Todo equipamento eletrônico tem uma fonte de alimentação, mais especificamente um retificador acompanhando um filtro com capacitor de entrada seguido de um regulador de tensão. Essa fonte de alimentação fornece as tensões de corrente contínua necessárias aos transistores e outros componentes. Se o equipamento não estiver funcionando adequadamente, a primeira providência é testar a :
Ano: 2014
Banca:
COSEAC
Órgão:
UFF
Prova:
COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q507401
Eletrônica
Os transistores de germânio são ativados quando a tensão VBE se iguala ao valor , em mV, de:
Ano: 2013
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
LIQUIGÁS
Prova:
CESGRANRIO - 2013 - LIQUIGAS - Oficial de Manutenção - Eletrônica |
Q424987
Eletrônica
Atualmente, o circuito integrado mais empregado em eletrônica analógica é o amplificador operacional. Normalmente, esses amplificadores são compostos de vários estágios, usando-se basicamente transistores bipolares BJT (bipolar junction transistor), FET (field-effect transistor) e MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor), configurados adequadamente em um mesmo circuito integrado (chip).
As principais características dos amplificadores operacionais são
As principais características dos amplificadores operacionais são
Q404455
Eletrônica
Existem três eletrodos em um transistor FET, que são
Q404437
Eletrônica
Um amplificador a transistor polarizado em classe-B apresenta seu ponto Q de operação, com respeito à reta de carga de polarização,
Q404436
Eletrônica
Com relação ao tiristor Triac, assinale a alternativa correta.
Q404432
Eletrônica
Com relação aos semicondutores e aos metais, assinale a alternativa correta.
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