Questões de Concurso Sobre eletromagnetismo na engenharia elétrica em engenharia elétrica

capacitor e diodo.

diodo e capacitor.

resistência e diodo.

capacitor e transistor.

capacitor e resistência.

9,04 V/V

25,41 V/V

13,25V/V

17,18 V/V

319,25 Hz, 390,75 Hz, 198,58 mVrms

318,47 Hz, 398,09 Hz, 468,08 mVrms

319,75 Hz, 375,55 Hz, -397,16 mVrms

317,45 Hz, 378,66 Hz, -234,04 mVrms

–34,49 V

–33,84 V

–24,00 V

–16,92 V

99,04 V, 310,20 V, 93,79 mA

198,08 V, 619,70 V, 93,79 mA

197,63 V, 309,50 V, 93,57 mA

139,90 V, 219,30 V, 66,24 mA

Volt (V)

Coulomb (C)

Volt por metro (V/m)

Siemens (S)

Farad (F)

de onda completa em ponte de diodos, a frequência da onda do secundário é o dobro da frequência da onda aplicada no primário.

de meia-onda, a frequência da onda do secundário é a metade da frequência da onda aplicada no primário.

de onda completa com derivação central, a frequência da onda do secundário é a metade da frequência da onda aplicada no primário.

de onda completa com derivação central, a tensão de pico de saída (ideal) é o dobro da tensão de pico do secundário.

de meia-onda, a tensão de pico de saída (ideal) é a mesma da tensão de pico do secundário.

a corrente em RL é igual a 1mA e a corrente em R é igual a 2 mA.

o diodo Zener NÃO está conduzindo.

o diodo Zener está conduzindo, mas não suportará a corrente.

a tensão em R é de 4 V.

a tensão em RL é de 8 V.

a base, fracamente dopada, passa os elétrons do coletor para o emissor.

o coletor, fortemente dopado, injeta elétrons livres na base.

a base, fortemente dopada, passa os elétrons do emissor para o coletor.

o emissor, fortemente dopado, injeta elétrons livres na base.

o emissor, fracamente dopado, injeta elétrons livres na base.

um semicondutor do tipo “p” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.

um semicondutor pode possuir fluxos de elétron e de lacunas, assim como nos materiais condutores.

o semicondutor intrínseco é do tipo “p” e o extrínseco é do tipo “n”.

um semicondutor do tipo “n” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.

em um semicondutor do tipo “n” as lacunas são os portadores majoritários.

10 pF/m.

20 μF/m.

40 pF/m.

40 nF/m.

80 μF/m.

2 MHz.

20 MHz.

20 kHz.

45 MHz.

450 kHz.

21 e 3

13 e 7

13 e 41

−3 e 21

−3 e −21

quatro alto-falantes de 8 Ω em paralelo.

quatro alto-falantes de 4 Ω em série.

dois alto-falantes de 8 Ω em paralelo.

dois alto-falantes de 4 Ω em paralelo.

dois alto-falantes de 4 Ω em série.

36 V e 20 V.

36 V e 40 V.

40 V e 36 V.

40 V e 40 V.

45 V e 20 V.

2,2 MHz.

22 kHz.

34 kHz.

340 kHz.

3,4 MHz.

As termorresistências proporcionam grande estabilidade e precisão de medida. Independente do material, sua variação ôhmica é linear em toda a faixa de temperatura.

A termorresistência conhecida como Pt-100 é feita de platina e apresenta resistência de 0 Ω a 100 ºC.

As termorresistências não necessitam de fonte de alimentação e são mais baratas que os termopares.

Os termopares são constituídos da junção de dois metais ou ligas metálicas diferentes, que geram uma corrente elétrica que varia com a variação da temperatura.

Os termopares são sensores ativos que geram uma tensão elétrica sem necessitar de fonte de alimentação. São mais baratos que os sensores PT-100, porém menos precisos.