Questões de Concurso Sobre eletromagnetismo na engenharia elétrica em engenharia elétrica

semicondutor tipo p.

semicondutor tipo n.

semicondutor tipo pn.

semicondutor tipo neutro.

semicondutor tipo diodo.

possuem como uma de suas características, a possibilidade de poder variar substancialmente sua condutividade elétrica pela alteração controlada de sua composição química ou estrutura cristalina.

um exemplo típico de um elemento químico que pode formar materiais exibindo características elétricas distintas é o carbono. Dependendo da forma com que os átomos de carbono interligam, o material formado pode tornar-se um isolante ou um semicondutor.

uma das formas mais naturais de matéria formada por átomos de carbono arranjados ordenadamente em uma estrutura cristalina é o diamante, que é um material de grande dureza e eletricamente isolante.

os átomos de carbono podem arranjar-se naturalmente em uma estrutura amorfa ou não cristalina, dando origem ao grafite que é um material semicondutor.

o semicondutor extrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja, a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.

I e II, apenas.

II e III, apenas.

I e III, apenas.

I, apenas.

III, apenas.

capacitor e diodo.

diodo e capacitor.

resistência e diodo.

capacitor e transistor.

capacitor e resistência.

9,04 V/V

25,41 V/V

13,25V/V

17,18 V/V

319,25 Hz, 390,75 Hz, 198,58 mVrms

318,47 Hz, 398,09 Hz, 468,08 mVrms

319,75 Hz, 375,55 Hz, -397,16 mVrms

317,45 Hz, 378,66 Hz, -234,04 mVrms

–34,49 V

–33,84 V

–24,00 V

–16,92 V

99,04 V, 310,20 V, 93,79 mA

198,08 V, 619,70 V, 93,79 mA

197,63 V, 309,50 V, 93,57 mA

139,90 V, 219,30 V, 66,24 mA

Volt (V)

Coulomb (C)

Volt por metro (V/m)

Siemens (S)

Farad (F)

de onda completa em ponte de diodos, a frequência da onda do secundário é o dobro da frequência da onda aplicada no primário.

de meia-onda, a frequência da onda do secundário é a metade da frequência da onda aplicada no primário.

de onda completa com derivação central, a frequência da onda do secundário é a metade da frequência da onda aplicada no primário.

de onda completa com derivação central, a tensão de pico de saída (ideal) é o dobro da tensão de pico do secundário.

de meia-onda, a tensão de pico de saída (ideal) é a mesma da tensão de pico do secundário.

a corrente em RL é igual a 1mA e a corrente em R é igual a 2 mA.

o diodo Zener NÃO está conduzindo.

o diodo Zener está conduzindo, mas não suportará a corrente.

a tensão em R é de 4 V.

a tensão em RL é de 8 V.

a base, fracamente dopada, passa os elétrons do coletor para o emissor.

o coletor, fortemente dopado, injeta elétrons livres na base.

a base, fortemente dopada, passa os elétrons do emissor para o coletor.

o emissor, fortemente dopado, injeta elétrons livres na base.

o emissor, fracamente dopado, injeta elétrons livres na base.

um semicondutor do tipo “p” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.

um semicondutor pode possuir fluxos de elétron e de lacunas, assim como nos materiais condutores.

o semicondutor intrínseco é do tipo “p” e o extrínseco é do tipo “n”.

um semicondutor do tipo “n” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.

em um semicondutor do tipo “n” as lacunas são os portadores majoritários.

10 pF/m.

20 μF/m.

40 pF/m.

40 nF/m.

80 μF/m.

2 MHz.

20 MHz.

20 kHz.

45 MHz.

450 kHz.

21 e 3

13 e 7

13 e 41

−3 e 21

−3 e −21

quatro alto-falantes de 8 Ω em paralelo.

quatro alto-falantes de 4 Ω em série.

dois alto-falantes de 8 Ω em paralelo.

dois alto-falantes de 4 Ω em paralelo.

dois alto-falantes de 4 Ω em série.

36 V e 20 V.

36 V e 40 V.

40 V e 36 V.

40 V e 40 V.

45 V e 20 V.