Questões de Engenharia Eletrônica - Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica para Concurso
Foram encontradas 878 questões
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381469
Engenharia Eletrônica
Um poste possui altura e formato do paraboloide dado pela equação
com raio da base 
A densidade do poste é dada pela função
A partir dessas informações, conclui-se que o centro de massa do poste está no ponto
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381468
Engenharia Eletrônica
Um cabo flexível de alta tensão, preso entre as extremidades de dois postes de mesma altura e sujeito apenas à força de seu próprio peso, formará uma curva que é solução da equação diferencial 
em que w e h são constantes.
Nessa situação hipotética, a solução geral da equação diferencial dada é
Ano: 2023
Banca:
LJ Assessoria e Planejamento Administrativo Limita
Órgão:
Prefeitura de Dom Eliseu - PA
Prova:
LJ Assessoria e Planejamento Administrativo Limita - 2023 - Prefeitura de Dom Eliseu - PA - Eletricista |
Q2367857
Engenharia Eletrônica
Assinale a alternativa que apresenta uma
desvantagem dos display de LED.
Ano: 2023
Banca:
LJ Assessoria e Planejamento Administrativo Limita
Órgão:
Prefeitura de Dom Eliseu - PA
Prova:
LJ Assessoria e Planejamento Administrativo Limita - 2023 - Prefeitura de Dom Eliseu - PA - Eletricista |
Q2367856
Engenharia Eletrônica
Assinale alternativa que apresenta de forma
correta a funcionalidade dos instrumentos digital.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364440
Engenharia Eletrônica
Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn)
puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho
a 20 °C é igual a 10−6 Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse
dispositivo é igual a 0,0005 m2
/(V∙s) e o coeficiente de
temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a 15 mm/s.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a 15 mm/s.
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