Questões de Engenharia Eletrônica para Concurso
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Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Nos circuitos CMOS, devido à diferença de mobilidade entre
lacunas e elétrons em materiais semicondutores, os
transistores NMOS usados em circuitos digitais têm
aproximadamente o dobro do tamanho dos transistores
PMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Em materiais semicondutores fabricados com silício, a
mobilidade de elétrons é maior que a mobilidade das
lacunas, por isso, na fabricação de circuitos de alto
desempenho e baixo consumo, é empregada,
predominantemente, a tecnologia que utiliza apenas
transistores NMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica inversora CMOS, com a entrada representada por Ve e a saída, pela tensão Vs.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica NOR CMOS, com as entradas representadas por VA e VB a saída, pela tensão VS.
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre
os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os
portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma
semelhante aos de um transistor bipolar.