Questões de Engenharia Eletrônica para Concurso
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Nos circuitos integrados VLSI de modo misto que priorizam a eficiência energética e a minimização de consumo, a concepção de amplificadores diferenciais é invariavelmente orientada pelo uso exclusivo de transistores PMOS.
Em sistemas CMOS VLSI, a integração de materiais piezoelétricos com avanços em nanotecnologia é realizada geralmente por meio de abordagens híbridas, em que os componentes são fabricados separadamente e depois combinados com o chip CMOS; isso assegura a eficiência e funcionalidade do conjunto, contribuindo significativamente para a sustentabilidade e autonomia energética desses dispositivos, sem comprometer as características individuais de cada tecnologia.
A tecnologia de semicondutor de óxido metálico complementar destaca-se no cenário de implementação de sinais mistos em tecnologia VLSI por sua capacidade de otimizar a densidade e a eficiência energética na esfera digital, bem como à sua versatilidade em fornecer um leque diversificado e adequado de componentes para a elaboração de projetos no espectro analógico.
Em projetos de sistemas VLSI de modo misto, a utilização de áreas de guarda (guard rings) e a separação física dos blocos analógicos e digitais visam minimizar a interferência indesejada, garantindo a integridade do sinal analógico e o desempenho adequado do sistema como um todo.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.