Questões de Engenharia Eletrônica para Concurso
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A Figura abaixo é um diagrama de blocos representativo de um sistema de controle.
A variável manipulada e a variável controlada são aquelas presentes nos fluxos de sinal indicados, respectivamente, pelos
números
Na coluna representada na Figura, não havendo mudança de set points em relação à condição normal de operação, o resultado de um cenário de inundação da coluna tipicamente leva o operador a observar um
O conversor CC-CC está operando no modo contínuo de corrente, com o transistor Q1 operando como chave, na frequência de chaveamento f, conforme mostra a figura abaixo. Leia as proposições.
I. Neste modo de operação, a tensão de saída é sempre menor ou igual a tensão de entrada.
II. A cada vez que o transistor Q1 conduz, energia da fonte de entrada é transferida ao capacitor C1, e quando Q1 abre, a energia da entrada é transferida ao indutor L1.
III. A corrente de carga no indutor é não-linear, dado pela equação VL(t) = L di(t)/dt
IV. A corrente no capacitor C1 é tal que a tensão sobre C1 tende a permanece relativamente constante, dado por ic(t) = C dv/dt
Assinale a alternativa correta:
Dado o circuito abaixo contendo um amplificador com o transistor Q1, que tem uma tensão base-emissor de 0,7 V. Os resistores R1 a R4 tem, respectivamente, os seguintes valores: 8,4kΩ, 1,6 kΩ, 100Ω e 1kΩ. A tensão de entrada da fonte é de 10V. Sobre o comportamento deste circuito, leia as proposições abaixo.
I. A corrente no Resistor R3 depende do valor da resistência ali colocada.
II. Esse circuito possui uma configuração do transistor como fonte de corrente.
III. A tensão sobre o Resistor R4 é 0,90V
IV. O funcionamento desse circuito independe dos dados de fabricação do transistor Q1.
Assinale a alternativa correta:
Leia as proposições abaixo, sobre conversão de sinais.
I. O tempo de quantização deve ser menor do que o tempo de amostragem para que não ocorram erros na conversão.
II. Para sinais periódicos, a frequência assíncrona de amostragem é a ideal, já que se conhece o comportamento do sinal antes de ser amostrado.
III. O conversor analógico-digital em rampa simples se baseia na comparação de dois sinais internos: um que vem de um contador crescente e outro que vem de um conversor digital-analógico, que gera um sinal em forma de rampa crescente. Quando esses dois sinais se encontram, define-se o valor correto da conversão analógica-digital.
IV. Em geral coloca-se, antes do conversor de analógico para digital, um filtro anti-aliasing, para evitar a sobreamostragem do sinal a ser medido.
Assinale a alternativa correta:
Leia as proposições abaixo sobre microcontroladores:
I. Os microcontroladores trabalham com um barramento de dados múltiplos de 2n, sendo n um número inteiro maior que zero, e quanto a ordem sequencial em que os bytes estão dispostos, podem assumir o formato big-endian ou little-endian.
II. Possuem registradores, que são memórias que registram e controlam o funcionamento interno do microcontrolador.
III. Quando realiza o ciclo de busca de instruções na memória, e se a arquitetura for do tipo Harward, buscam dados e instruções sequencialmente, porque possuem um único barramento de dados e endereços.
IV. Possuem instruções que permitem realizar operações de salto condicional ou salto incondicional, baseado nos estados dos registros após operações lógicas ou aritméticas, informados pela Unidade Lógico-aritmética.
Assinale a alternativa correta:
Dado a tabela-verdade a seguir, que representa os estados lógicos de um circuito eletrônico digital de entradas E1, E2 e E3 e saída S. A equação de saída S representa a equação booleana retirada da tabela-verdade, das saídas S iguais a 1. Das alternativas abaixo, marque a única equação que, corretamente, representa a menor equação possível que representa corretamente a saída S.
Dado um amplificador operacional ideal, conectado conforme indica a figura abaixo, com R1 igual a 1kΩ, R2 igual a 0,5kΩ e R3 igual a 10kΩ. Se a tensão de entrada for dada pela equação: Vin(t) = 2.sin(ωt+30°), com ω representando a frequência angular. Qual das alternativas abaixo representa corretamente a amplitude máxima da tensão sobre o resistor R3?
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.
Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital
correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da
constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3 = 1,1, a
sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator
Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.
Fonte: FUNCERN, 2017.
O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Analise a figura abaixo, que projeta um circuito RC-AmpOp representativo de um filtro ativo.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os amplificadores operacionais ideais e a tensão de entrada (Vi) uma senóide, com 50 mV
de pico, as frequências de corte inferior e superior e o valor médio quadrático da tensão de saída (Vo),
para frequências no interior da banda de passagem, respectivamente, são
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Analise a figura abaixo, que representa um circuito com diodos ideais.
Fonte: FUNCERN, 2017.
O valor de pico da tensão de saída (vo) é de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (VD= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ.
Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são