Questões de Concurso
Sobre transistor de potência em engenharia eletrônica
Foram encontradas 20 questões
Q2361797
Engenharia Eletrônica
Um motor de indução trifásico, conectado em Y, com quatro polos, 30 HP, 127 V,
50 Hz, solicita uma corrente de 65 A da rede de alimentação, com um fator de potência de 0,85.
Nessas condições de operação, as perdas do motor são as seguintes:
• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.
• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.
• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.
• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.
• Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.
• Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.
• Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.
• Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.
Assinale a alternativa que apresenta a potência transferida através do entreferro.
Q2361796
Engenharia Eletrônica
O circuito da figura apresenta um transformador ideal em que a
impedância R2 + jX2 = 5 + j20 Ω está conectada em série com o secundário. A relação de espiras é
N1 / N2 = 5:1. Considere uma tensão eficaz de primário de 220 V. Partindo de um circuito equivalente
cuja impedância em série esteja referida ao primário, assinale a alternativa que informa a corrente do
primário na ordem apresentada.
Q2361795
Engenharia Eletrônica
Em unidades do SI, a permeabilidade do vácuo é µ0 = 4π x 10−7 henrys por metro. A permeabilidade dos materiais magnéticos lineares pode ser expressa em termos de sua permeabilidade relativa µr, ou seja, seu valor relativo ao do vácuo, ou µ = µrµ0 (Umans, 2014). Qual é a variação aproximada dos valores típicos de μr para os materiais usados em transformadores e máquinas rotativas?
Ano: 2007
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252007
Engenharia Eletrônica
Relacione os parâmetros híbridos do transistor emissor
comum com os seus respectivos significados.
I. hoe a. ganho direto de corrente II. hie b. admitância de saída III. hre c. impedância de entrada IV. hfe d. ganho reverso de tensão
I. hoe a. ganho direto de corrente II. hie b. admitância de saída III. hre c. impedância de entrada IV. hfe d. ganho reverso de tensão
Ano: 2007
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252005
Engenharia Eletrônica
A função de R1 e R2 é
Ano: 2022
Banca:
Quadrix
Órgão:
SEDF
Prova:
Quadrix - 2022 - SEDF - Professor de Educação Básica - Eletrônica - Edital nº 31 |
Q1976049
Engenharia Eletrônica
Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.
No transistor de efeito de campo, a corrente de dreno depende exponencialmente da tensão entre porta e fonte.
No transistor de efeito de campo, a corrente de dreno depende exponencialmente da tensão entre porta e fonte.
Q1828182
Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo ilustra o esquema de funcionamento de um
rádio FM portátil que funciona, em condições normais de
operação, com as especificações 3V / 450 mW. Verifica-se que
um divisor de tensão é formado por 
De acordo com a figura, para que o rádio opere com a fonte de 12V, é possível realizar cálculos, e se chega a um valor para a resistência do resistor R2. Um valor válido para esse resistor, imediatamente acima do valor calculado, é
De acordo com a figura, para que o rádio opere com a fonte de 12V, é possível realizar cálculos, e se chega a um valor para a resistência do resistor R2. Um valor válido para esse resistor, imediatamente acima do valor calculado, é
Q1202210
Engenharia Eletrônica
Um estudante deverá medir a tensão, a corrente e a potência em um circuito composto por uma carga puramente resistiva que é conectada a uma fonte de tensão independente. A respeito dos instrumentos apropriados para realizar essas medições, julgue o item subsequente.
O estudante, ao utilizar, o voltímetro e o wattímetro deverá ter o cuidado de não ligá-los em paralelo com a fonte de tensão, sob pena de danificá-los.
O estudante, ao utilizar, o voltímetro e o wattímetro deverá ter o cuidado de não ligá-los em paralelo com a fonte de tensão, sob pena de danificá-los.
Ano: 2018
Banca:
UTFPR
Órgão:
UTFPR
Prova:
UTFPR - 2018 - UTFPR - Técnico de Laboratório - Eletrotécnica |
Q900771
Engenharia Eletrônica
Para o circuito da figura, todos os componentes são de potência nominal
ideal. O transistor Q1 tem β = 200. O valor conhecido de VBE = 0,8V.
Analisando o circuito, é correto afirmar que a queda de tensão em:
Analisando o circuito, é correto afirmar que a queda de tensão em:
Ano: 2017
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IGP-RS
Prova:
FUNDATEC - 2017 - IGP-RS - Perito Criminal - Engenharia Mecânica |
Q830806
Engenharia Eletrônica
O invólucro do transistor de
potência mostrado na Figura 6 abaixo possui
diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm.
Uma corrente de ar que resfria o transistor
está a 20°C e sob condições em que mantém
um coeficiente de convecção médio de h=90
W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo
que a temperatura superficial do transistor
não deve exceder 80°C, assinale a alternativa
que indica a máxima potência admissível para
as condições descritas.
Ano: 2017
Banca:
NC-UFPR
Órgão:
COPEL
Prova:
NC-UFPR - 2017 - COPEL - Engenheiro Eletricista Júnior |
Q797589
Engenharia Eletrônica
Numere a coluna da direita, relacionando os dispositivos semicondutores de potência com as respectivas características
indicadas na coluna da esquerda. 1. Dispositivo de três terminais que apresenta entrada em condução controlada por
gatilho e bloqueio não controlado.
2. Tiristor bidirecional.
3. Transistor de potência que conjuga vantagens dos transistores de junção e de efeito
de campo.
4. Tiristor com bloqueio controlado por gatilho. ( ) TRIAC.
( ) SCR.
( ) GTO.
( ) IGBT.
Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta na coluna da direita, de cima para baixo.
Ano: 2015
Banca:
FCC
Órgão:
Prefeitura de São Luís - MA
Prova:
FCC - 2015 - Prefeitura de São Luís - MA - Auditor de Controle Interno - Engenharia Elétrica |
Q609987
Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra o bloco funcional de um inversor de 6 pulsos.
A base de funcionamento deste inversor fundamenta-se no chaveamento do
A base de funcionamento deste inversor fundamenta-se no chaveamento do
Q538784
Engenharia Eletrônica
O IGBT é um
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364649
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q243350
Engenharia Eletrônica
Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo
Ano: 2011
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STM
Prova:
CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Específicos |
Q107792
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.
Ano: 2011
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STM
Prova:
CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Específicos |
Q107790
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a tensão de entrada.
Ano: 2009
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 4ª REGIÃO (RS)
Prova:
FCC - 2009 - TRT - 4ª REGIÃO (RS) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q73613
Engenharia Eletrônica
Observe o símbolo abaixo.
Ele corresponde ao dispositivo denominado
Ele corresponde ao dispositivo denominado
Q65913
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido
em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando.
A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos
semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos
dispositivos semicondutores de potência, associados a outros
circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos
de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência
dos dispositivos envolvidos são preponderantes.
A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.
em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando.
A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos
semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos
dispositivos semicondutores de potência, associados a outros
circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos
de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência
dos dispositivos envolvidos são preponderantes.
A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.
SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência.
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