Questões de Engenharia Eletrônica - Transistor para Concurso

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.