Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 337 questões
Ano: 2024
Banca:
IBFC
Órgão:
Correios
Prova:
IBFC - 2024 - Correios - Engenheiro – Engenharia Eletrônica |
Q3129021
Engenharia Eletrônica
Vamos considerar um MOSFET em configuração de
dreno comum (seguidor de fonte) em que a
resistência de carga, Rl, é igual a 2 KΩ. Se o MOSFET
apresenta uma transcondutância, gm, de 3mS,
assinale a alternativa que apresenta o ganho de
tensão desta configuração.
Ano: 2024
Banca:
IBFC
Órgão:
Correios
Prova:
IBFC - 2024 - Correios - Engenheiro – Engenharia Eletrônica |
Q3129020
Engenharia Eletrônica
Um transistor BJT pode apresentar diferentes
regiões de operação. Uma delas é a de
saturação deste, em que: ______. Assinale a
alternativa que preencha corretamente a
lacuna.
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
Prefeitura de Cruz Alta - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - Prefeitura de Cruz Alta - RS - Engenheiro Elétrico |
Q3070066
Engenharia Eletrônica
Relacione a Coluna 1 à Coluna 2, associando os símbolos esquemáticos usados para representar dispositivos semicondutores ativos às suas respectivas definições.
Coluna 1
Coluna 2
( ) MOSFET de canal n.
( ) JFET de canal n.
( ) Transistor PNP.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
Ano: 2024
Banca:
IV - UFG
Órgão:
Prefeitura de Rio Branco - AC
Prova:
IV - UFG - 2024 - Prefeitura de Rio Branco - AC - Engenheiro de Telecomunicações |
Q3036012
Engenharia Eletrônica
Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de
Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n
tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa
essencial. Para obter a saturação como modo de operação,
é comum garantir a formação do canal n e fazer a
interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração
é amplamente utilizada para projeto de espelhos de
corrente. Nessa configuração, os terminais curtoscircuitados são
Ano: 2024
Banca:
IV - UFG
Órgão:
Prefeitura de Rio Branco - AC
Prova:
IV - UFG - 2024 - Prefeitura de Rio Branco - AC - Engenheiro de Telecomunicações |
Q3036011
Engenharia Eletrônica
O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor
(MOSFET) tipo enriquecimento de canal n é um transistor
de quatro terminais, sendo eles: porta (G), dreno (D), fonte
(S) e corpo (B). Na maioria das aplicações, o terminal do
corpo (B) é interconectado ao terminal da fonte (S),
reduzindo o número de terminais para três. Nessa
configuração, as tensões de Corrente Contínua (DC) dos
terminais de porta (VG), dreno (VD) e fonte (VS) determinam
o ponto de polarização do dispositivo. Além disso, a análise
do ponto de operação leva em consideração a tensão de
limiar (Vt). A diferença de potencial entre dois terminais,
como por exemplo entre os terminais D e S, utiliza a notação
VDS. Para operação como amplificador de sinais, o MOSFET
é colocado na região de operação conhecida como
saturação. Nessa região de operação
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-SC
Prova:
FUNDATEC - 2024 - IF-SC - Técnico de Laboratório – Área: Eletroeletrônica |
Q3021358
Engenharia Eletrônica
Qual é a função de um transistor bipolar em um circuito eletrônico?
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523604
Engenharia Eletrônica
O circuito a seguir é composto por um buffer tri-state, um inversor com saída em coletor aberto (onde a entrada em nível lógico alto coloca o transistor de saída em condução) e um resistor.
A combinação de sinais que gera conflito em S é
A combinação de sinais que gera conflito em S é
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523590
Engenharia Eletrônica
Os MOSFET são, possivelmente, os transistores mais empregados atualmente. Sejam como chaves em circuitos de potência, na confecção dos circuitos integrados da família CMOS, como amplificadores ou em alguma das suas outras aplicações, eles marcam importante presença na nossa vida cotidiana.
Sobre esse importante componente eletrônico, é correto afirmar que o MOSFET,
Sobre esse importante componente eletrônico, é correto afirmar que o MOSFET,
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523586
Engenharia Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis, que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações.
Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.
Sobre os regimes de operação dos TBJ, assinale a afirmativa correta.
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Pleno I - Desenvolvimento de Sistemas de Suprimento de Energia para Satélites |
Q2523583
Engenharia Eletrônica
Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, entre outros.
Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.
Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.
Q2456690
Engenharia Eletrônica
O transistor bipolar de junção do tipo npn possui duas junções pn
e, portanto, pode funcionar como um diodo.
Para que isso ocorra,
Para que isso ocorra,
Ano: 2024
Banca:
FAU
Órgão:
Câmara de São João do Triunfo - PR
Prova:
FAU - 2024 - Câmara de São João do Triunfo - PR - Operador de Áudio Visual |
Q2449953
Engenharia Eletrônica
Diversos são os tipos de filtros utilizados
no universo da produção visual. Um deles tem
essencialmente dois objetivos: reduzir ou
mesmo eliminar reflexos de superfícies (como
as plásticas ou metalizadas) e reforçar a
tonalidade das cores. De qual filtro estamos
tratando?
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381483
Engenharia Eletrônica
Na configuração porta-comum de um MOSFET, o terminal ligado ao terra, o terminal utilizado para receber o sinal de entrada e o terminal do qual se obtém o sinal de saída são, respectivamente,
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381482
Engenharia Eletrônica
No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ITAIPU BINACIONAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |
Q2381480
Engenharia Eletrônica
Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364410
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a
porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal
semicondutor quando polarizado.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364409
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a
dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364408
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364407
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à
largura do canal do MOSFET.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364390
Engenharia Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre
os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os
portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma
semelhante aos de um transistor bipolar.
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