Questões de Engenharia Eletrônica - Transistor para Concurso

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Q2364409 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 



Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p. 

Alternativas
Q2364408 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 



A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do tipo depleção. 

Alternativas
Q2364407 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 


Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à largura do canal do MOSFET.

Alternativas
Q2364390 Engenharia Eletrônica

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.



Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma semelhante aos de um transistor bipolar.

Alternativas
Q2361807 Engenharia Eletrônica
A imagem abaixo apresenta a tela de um osciloscópio digital.



Imagem associada para resolução da questão



Considere os seguintes ajustes para o canal 1:

• V/div = 4 V

• sec/div = 10 µs


Qual é a amplitude do pulso e a frequência do sinal, respectivamente? 


Alternativas
Respostas
16: C
17: E
18: C
19: C
20: B