Questões de Concurso Sobre transistor em engenharia eletrônica

O transistor do circuito abaixo deve ser modelado como tendo h_FE = β = 99 e V_BE = 700mV. O valor do resistor RB que faz com que o valor quiescente da tensão V_CE seja igual a 4V é:

A curva característica de um transistor de efeito de campo (FET) é mostrada abaixo. Essa curva corresponde a um dispositivo do tipo:

O circuito da Figura 13 abaixo corresponde a uma topologia de inversor de frequência denominada Inversor Ponte H Monofásico. Neste diagrama, o circuito de controle das chaves Q₁, Q2, Q₃ e Q₄ foi propositalmente omitido.

Na Figura 14 encontram-se 4 diferentes formas de onda de tensão que podem ser produzidas sobre cargas conectadas às saídas de inversores de frequência variados.

Dentre as formas de onda, apresentadas acima, aquela(s) que pode(m) ser produzida(s) pelo Inversor Ponte H Monofásico mostrado na Figura 13 é / são

Dado o circuito ao lado, considerando que os transistores têm um valor de β muito alto e V_BE=0,7 V, o valor da corrente em amperes no resistor de 2 Ω é

Assinale a alternativa correta em relação à topologia de regulador de tensão CC série.

Assinale a afirmação correta com relação aos transistores bipolares de junção.

A respeito dos conversores CA-CC, CA-CA e CC-CC, considere as afirmativas a seguir.
I. A tensão média de saída do conversor CC-CC é controlada pela variação do tempo de condução do transistor. II. O conversor CA-CC converte uma tensão CA em CC, onde o controle da tensão CC é feito por meio da variação da tensão CA de entrada. III. O conversor CA-CA permite a obtenção de uma tensão CA variável a partir de uma tensão CA fixa de entrada.
Está correto o que se afirma em

A figura a seguir apresenta a polarização de um transistor NPN.

A respeito desse circuito é correto dizer que a corrente

O engenheiro de uma equipe de desenvolvimento de protótipos analisa a folha de dados de um transistor hipotético que possui potência nominal de 800 mW a uma temperatura de 25 ^oC. Sabendo-se que o fator de degradação do transistor é 10 mW/ ^oC, a potência máxima, em mW, que poderá ser fornecida pelo transistor quando opera sob uma temperatura de 40 ^oC, é

Os dispositivos semicondutores são produzidos a partir de materiais que possuem uma condutividade menor que a dos metais em geral e maior que a dos isolantes. Após a invenção do transistor em 1947 nos Laboratórios da Bell, os semicondutores que mais foram utilizados na indústria da eletrônica desde então são feitos a partir de cristais de

Para o circuito da figura abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no dreno do transistor V_D.

Dado o circuito apresentado abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no coletor V_C.

Acerca do funcionamento dos transistores bipolares, analise as proposições a seguir.

1) Os dois modos básicos para operar um transistor são a polarização de base (circuitos de chaveamento) e a polarização de emissor (circuitos amplificadores).

2) O ganho de corrente de um transistor é definido como a razão da corrente do emissor pela corrente de base (IE/IB).

3) Se num circuito com um transistor o resistor de base for curto-circuitado, o transistor será danificado.

Está(ão) correta(s):