Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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O valor máximo de pico a pico da tensão c.a de saída, sem ceifamento, é aproximadamente igual a: (Obs.: Vbe = 0.7V.)
Analise a composição do circuito de controle de potência, representado abaixo.
Sobre a funcionalidade dos elementos que compõem o circuito, é correto afirmar:
Considere a figura abaixo:
Os componentes que constituem a interface de potência do circuito são:
No que se refere aos circuitos lógicos, julgue o item a seguir.
Quando a entrada A do circuito mostrado na figura abaixo for 5 V, a saída Y será nula.
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
Se RC = 3 kΩ e a corrente no coletor, igual a 2 mA, então a Ω tensão entre o coletor e o emissor é 3V.
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
Para que o transistor sature com corrente de coletor igual a 40 mA, o valor da resistência RC deve ser igual a 250 Ω .
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no
coletor.
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de
campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor
bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de
duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três
terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao
SCR pode ser representado pela associação de um transistor
PNP com um NPN.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
Se vI
(t) > 0, então vO(t) > 0.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
O parâmetro RE não influencia no ganho de transcondutância
iL(t)/vI
(t) do circuito.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
Em análise do circuito pelo método dos nós, observa-se que
existem duas restrições em relação a dois nós, excetuando-se
o nó de terra.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
A impedância de Norton vista à esquerda da seta S1 é dada por
GRL.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo
de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção.
Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado
no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI
(t) e à carga RL
nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações,
julgue o seguinte item.
O ganho de tensão que relaciona as tensões de saída vO(t) eentrada vI(t) é dado por -RLG.
No o circuito da figura a seguir o transistor é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Sabendo que VCC = 12V, Vi = 4V, RB = 330kΩ e RC = 9kΩ qual é o valor de V0 ?
O transistor do circuito da figura a seguir é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Determine RE, Rb e RC sabendo que VCC = 20V, VCE = 3V, IB = 40µA e RC = 4RE .
Considere o circuito abaixo.
Na etapa de saída trata-se de um amplificador de potência tipo:
Utilize a figura a seguir para responder a questão abaixo.
Cada coletor tem uma tensão (ideal) de repouso no
valor aproximado ao que se lê na alternativa:
Utilize a figura a seguir para responder as questão abaixo.
Com base no circuito, cada corrente (ideal) de emissor
vale o descrito na alternativa:
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