Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 335 questões
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364665
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A evolução da eletrônica trouxe mudanças significativas nas fontes de alimentação. Hoje, eficientes sistemas de chaveamento de corrente são empregados na estabilização de tensão e no controle de potência entregue a cargas eletrônicas. A respeito dos reguladores de tensão chaveados e lineares, julgue os itens que se seguem.
Um regulador linear tem como principal vantagem a alta eficiência energética, quando comparado aos reguladores chaveados, porque estes últimos dissipam muita energia no processo de chaveamento.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364647
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364646
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331309
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A partir das informações apresentadas, é correto afirmar que V5 < 5 V para a = 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331308
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura abaixo apresenta corretamente a forma de onda das tensões V1 e V2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331307
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
As informações apresentadas permitem afirmar que V5 é aproximadamente nulo para a = 0,002.
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319773
Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra um amplificador diferencial com resistores de base com valores de 30k?, e os transistores são idênticos com ßcc = 100 e queda de 0,7V em relação base ao emissor. Incluindo o efeito das resistências de base, a tensão de saída é, aproximadamente,
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314066
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314065
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314064
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314058
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314057
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TJ-RO
Prova:
CESPE - 2012 - TJ-RO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q275753
Engenharia Eletrônica
Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Transpetro
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Transpetro - Engenheiro Júnior - Elétrica |
Q264030
Engenharia Eletrônica
Na figura abaixo é apresentado o circuito de um conversor buck-boost, onde a evolução no tempo da tensão VCH que controla o chaveamento do transistor de potência Q1 também é mostrada. Assuma que o transistor funciona como uma chave ideal.
Dessa forma, considerando que o conversor acima está operando em modo contínuo e que o capacitor é grande o suficiente para que a tensão sobre ele seja considerada constante, a tensão média VO na saída, em volts, será de
Dessa forma, considerando que o conversor acima está operando em modo contínuo e que o capacitor é grande o suficiente para que a tensão sobre ele seja considerada constante, a tensão média VO na saída, em volts, será de
Q263789
Engenharia Eletrônica
Deseja-se implementar uma interface transistorizada para acionar um motor de passo de seis fios (duas bobinas com center-tap) a partir de um microcontrolador. Considerando que a capacidade de corrente de cada port de saída do microcontrolador é de 800 µA, que os transistores da interface operarão como chave e que as bobinas do motor de passo operam com corrente de 0,8 A, é necessário que cada transistor da interface seja
Q263784
Engenharia Eletrônica
Em uma barreira óptica formada por um LED e um foto- transistor infravermelhos, cuja saída deve fornecer um nível lógico para o port de entrada de um microcontrolador, a forma correta de conectar o fototransistor é:
Conheça nossos planos