Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de cam...
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Ano: 2012
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TJ-RO
Prova:
CESPE - 2012 - TJ-RO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q275753
Engenharia Eletrônica
Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.
Comentários
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Esta questão apresenta uma grande fragilidade, pois:
Se o transistor for do tipo depleção, a corrente de dreno ID é fornecida pela equação não linear de Shockley.
Se o transistor for do tipo intensificação (enriquecimento), a corrente de dreno ID é fornecida pela equação linear da constante K da construção do dispositivo.
Analisando as respostas, a única alternativa que atendem os dois tipos de MOSFET canal N é o item (d)
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