Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 337 questões
Ano: 2011
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
FUB
Prova:
CESPE - 2011 - FUB - Técnico de Laboratório - Física - Específicos |
Q108170
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Acerca de conceitos básicos de eletrônica analógica, sinais e
eletrônica digital, julgue os próximos itens.
eletrônica digital, julgue os próximos itens.
Cada segmento de um mostrador de 7 segmentos consiste em um transistor de junção bipolar que acende quando devidamente polarizado em base comum.
Ano: 2011
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
FUB
Prova:
CESPE - 2011 - FUB - Técnico de Laboratório - Física - Específicos |
Q108163
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Em um laboratório de eletrônica, foram realizadas
medições elétricas em um circuito de polarização de um transistor
bipolar de junção (TBJ) do tipo npn, representado na figura acima.
Os valores obtidos para a corrente de emissor e de base do
dispositivo foram 1,29 mA e 12,8 mA, respectivamente.
Com base nesses dados, julgue os itens a seguir.
Em um laboratório de eletrônica, foram realizadas
medições elétricas em um circuito de polarização de um transistor
bipolar de junção (TBJ) do tipo npn, representado na figura acima.
Os valores obtidos para a corrente de emissor e de base do
dispositivo foram 1,29 mA e 12,8 mA, respectivamente.
Com base nesses dados, julgue os itens a seguir.
O parâmetro do transistor, também denominado ganho de corrente em emissor comum, é superior a 105.
Ano: 2011
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
FUB
Prova:
CESPE - 2011 - FUB - Técnico de Laboratório - Física - Específicos |
Q108162
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Em um laboratório de eletrônica, foram realizadas
medições elétricas em um circuito de polarização de um transistor
bipolar de junção (TBJ) do tipo npn, representado na figura acima.
Os valores obtidos para a corrente de emissor e de base do
dispositivo foram 1,29 mA e 12,8 mA, respectivamente.
Com base nesses dados, julgue os itens a seguir.
Em um laboratório de eletrônica, foram realizadas
medições elétricas em um circuito de polarização de um transistor
bipolar de junção (TBJ) do tipo npn, representado na figura acima.
Os valores obtidos para a corrente de emissor e de base do
dispositivo foram 1,29 mA e 12,8 mA, respectivamente.
Com base nesses dados, julgue os itens a seguir.
A potência dissipada pelo transistor indicado na figura é inferior a 6,5 mW.
Ano: 2011
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
FUB
Prova:
CESPE - 2011 - FUB - Técnico de Laboratório - Física - Específicos |
Q108161
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Em um laboratório de eletrônica, foram realizadas
medições elétricas em um circuito de polarização de um transistor
bipolar de junção (TBJ) do tipo npn, representado na figura acima.
Os valores obtidos para a corrente de emissor e de base do
dispositivo foram 1,29 mA e 12,8 mA, respectivamente.
Com base nesses dados, julgue os itens a seguir.
Em um laboratório de eletrônica, foram realizadas
medições elétricas em um circuito de polarização de um transistor
bipolar de junção (TBJ) do tipo npn, representado na figura acima.
Os valores obtidos para a corrente de emissor e de base do
dispositivo foram 1,29 mA e 12,8 mA, respectivamente.
Com base nesses dados, julgue os itens a seguir.
Se a ponta de prova vermelha de um multímetro digital (exato e preciso) for conectada ao emissor do TBJ, e a ponta preta, à base, a leitura de tensão fornecida pelo multímetro será inferior a - 0,6 V.
Ano: 2011
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
STM
Prova:
CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Específicos |
Q107790
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a tensão de entrada.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-BA
Prova:
CESPE - 2010 - TRE-BA - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade |
Q718775
Engenharia Eletrônica
Acerca dos dispositivos eletrônicos, julgue o próximo item.
O transistor de unijunção (UJT) é um dispositivo de três
terminais. O silício pode ser utilizado na construção desse tipo
de componente.
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569020
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura 1 mostra um circuito amplificador que utiliza um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) e que se encontra fechado em uma caixa, sendo seu único ponto de acesso o nó S.
A figura 2, por sua vez, mostra um gráfico, fora de escala, com a reta de carga do amplificador.
Sabendo que a tensão medida no nó A foi 5 V, pode-se afirmar que a corrente de dreno do transistor, em mA, é:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569018
Engenharia Eletrônica
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569017
Engenharia Eletrônica
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569014
Engenharia Eletrônica
No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.
O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Q538784
Engenharia Eletrônica
O IGBT é um
Ano: 2010
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
PETROQUÍMICA SUAPE
Prova:
CESGRANRIO - 2010 - PETROQUÍMICA SUAPE - Engenheiro de Equipamento Pleno - Eletricidade |
Q185124
Engenharia Eletrônica
O circuito eletrônico da figura acima mostra um transistor NPN polarizado e operando na região ativa. O transistor tem, nessas condições, um ß = 100 e VBE = 0,6 V. O valor aproximado da corrente de coletor IC, em mA, é
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184708
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Em condições estáticas, isto é, sem chaveamento dos níveis de entrada, a máxima dissipação de potência ocorre quando ambas as entradas estiverem fixadas em 5 V.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184707
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito desempenha a função de porta NAND (complemento da porta lógica E) de duas entradas.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184706
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas
) são idênticos e do tipoenriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída
não excederá 0,3 V;II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Enquanto ambas as entradas 
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112741
Engenharia Eletrônica
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112719
Engenharia Eletrônica
No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INMETRO
Prova:
CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |
Q112713
Engenharia Eletrônica
No circuito eletrônico acima, que mostra um amplificador a transistor, os potenciais quiescentes de polarizações VB e VC são iguais, respectivamente, a 8 V e 12 V, e Vcc é 16 V. O ganho AC do amplificador é igual a 100 e uma fonte de sinal com impedância de entrada muito mais baixa que a impedância de entrada do amplificador injeta, em vi , uma tensão senoidal com frequência na faixa adequada do amplificador e tensão de pico a pico igual a 20 mV.
Considerando que, nesse circuito, o transistor esteja corretamente polarizado na região ativa, que as distorções do sinal amplificado sejam desprezíveis e que os capacitores têm valores de capacitância tal que, para as frequências dos sinais amplificados, eles funcionem como curto-circuito, assinale a opção correta.
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82765
Engenharia Eletrônica
São circuitos integrados lineares comerciais usados na função de regulador de tensão:
Ano: 2010
Banca:
FCC
Órgão:
TRT - 8ª Região (PA e AP)
Prova:
FCC - 2010 - TRT - 8ª Região (PA e AP) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q82739
Engenharia Eletrônica
Tensão mínima de saída em nível alto de uma porta lógica TTL. Nos manuais de fabricantes de circuitos integrados, essa especificação é simbolizada por
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