Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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Analise a estrutura do circuito integrado MOC 3011 abaixo.
Trata-se de um
No circuito da figura, o transistor TBJ (transistor bipolar de junção) apresenta, na região linear, um ganho β = 140. Ao aplicar-se 5 V em VB, o valor de VD, em V, será
Considerando-se que a carga resistiva dissipa uma potência de 600 mW, qual o valor, em mA, da corrente I Z no diodo zener?
Considere que o transistor Q1 apresenta parâmetro β = 80, |VBE| = 0,7 V quando conduzindo corrente elétrica e |VCE| = 0,2 V quando operando em saturação.
Dessa forma, a potência média, em watts, dissipada pelo resistor de carga RL é
No circuito analógico abaixo, que contém um transistor bipolar de junção do tipo NPN polarizado no modo ativo, a tensão entre coletor e emissor é superior a 8 V e inferior a 10 V.
Analise a composição do circuito de controle de potência, representado abaixo.
Sobre a funcionalidade dos elementos que compõem o circuito, é correto afirmar:
Considere a figura abaixo:
Os componentes que constituem a interface de potência do circuito são:
No que se refere aos circuitos lógicos, julgue o item a seguir.
Quando a entrada A do circuito mostrado na figura abaixo for 5 V, a saída Y será nula.
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
Se RC = 3 kΩ e a corrente no coletor, igual a 2 mA, então a Ω tensão entre o coletor e o emissor é 3V.
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
Para que o transistor sature com corrente de coletor igual a 40 mA, o valor da resistência RC deve ser igual a 250 Ω .
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no
coletor.
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de
campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor
bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
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