Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
Foram encontradas 335 questões
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
FUB
Prova:
CESPE - 2015 - FUB - Técnico em Eletroeletrônica |
Q606971
Engenharia Eletrônica
Com referência aos circuitos com transistores ilustrados nas figuras I e II, julgue o próximo item.
No circuito representado na figura I, quanto menor for o capacitor conectado na base do transistor, menor será a frequência de corte inferior do circuito.
No circuito representado na figura I, quanto menor for o capacitor conectado na base do transistor, menor será a frequência de corte inferior do circuito.
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
FUB
Prova:
CESPE - 2015 - FUB - Técnico em Eletroeletrônica |
Q606970
Engenharia Eletrônica
Com referência aos circuitos com transistores ilustrados nas figuras I e II, julgue o próximo item.
O circuito representado na figura I mostra um amplificador na configuração emissor comum.
O circuito representado na figura I mostra um amplificador na configuração emissor comum.
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
FUB
Prova:
CESPE - 2015 - FUB - Técnico em Eletroeletrônica |
Q606969
Engenharia Eletrônica
Com referência aos circuitos com transistores ilustrados nas
figuras I e II, julgue o próximo item.
No circuito mostrado na figura II, o ganho de corrente é unitário, entretanto o ganho de tensão é superior a 1.
No circuito mostrado na figura II, o ganho de corrente é unitário, entretanto o ganho de tensão é superior a 1.
Q596459
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura acima ilustra um conversor CA-CA monofásico, em que vS é a tensão no secundário do transformador de alimentação e R representa uma resistência de carga. O diodo e o tiristor são ideais e o ângulo de disparo do tiristor está estritamente no intervalo de 0º a 180º.
A figura acima ilustra um conversor CA-CA monofásico, em que vS é a tensão no secundário do transformador de alimentação e R representa uma resistência de carga. O diodo e o tiristor são ideais e o ângulo de disparo do tiristor está estritamente no intervalo de 0º a 180º.
Acerca desse e de outros tipos de conversores, julgue o item
A figura abaixo ilustra um conversor CC-CC em que a tensão de alimentação Vs é superior à tensão na carga.
A figura abaixo ilustra um conversor CC-CC em que a tensão de alimentação Vs é superior à tensão na carga.
Ano: 2015
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-RR
Prova:
FCC - 2015 - DPE-RR - Engenheiro Eletrônico ou Mecatrônico |
Q593060
Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo, onde R2 = R3, constitui um tipo de saída de potência de fonte de alimentação.
Em condições normais de operação do circuito, a tensão na carga RL é, aproximadamente, em volt,
Ano: 2015
Banca:
FCC
Órgão:
DPE-RR
Prova:
FCC - 2015 - DPE-RR - Engenheiro Eletrônico ou Mecatrônico |
Q593059
Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo mostra uma ponte H simplificada, usada para inverter a rotação de motor CC.
O elemento indicado pela seta é um componente semicondutor designado como
Q571682
Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra a polarização de um transistor bipolar de
junção e a reta de carga que representa essa polarização no
ponto P.
A tensão base-emissor do transistor é igual a 1,0 V. Os valores dos resistores RB e RC são iguais a:
A tensão base-emissor do transistor é igual a 1,0 V. Os valores dos resistores RB e RC são iguais a:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569020
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura 1 mostra um circuito amplificador que utiliza um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) e que se encontra fechado em uma caixa, sendo seu único ponto de acesso o nó S.
A figura 2, por sua vez, mostra um gráfico, fora de escala, com a reta de carga do amplificador.
Sabendo que a tensão medida no nó A foi 5 V, pode-se afirmar que a corrente de dreno do transistor, em mA, é:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569018
Engenharia Eletrônica
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569017
Engenharia Eletrônica
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569014
Engenharia Eletrônica
No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.
O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Q548423
Engenharia Eletrônica
Julgue o item seguinte, referente aos amplificadores mostrados nas figuras I, II e III.
O circuito da figura I é um amplificador na configuração
emissor comum com resistência de emissor. O valor do resistor
rE influencia a impedância de entrada do circuito.
Q548422
Engenharia Eletrônica
Julgue o item seguinte, referente aos amplificadores mostrados nas figuras I, II e III.
O circuito da figura III está na configuração dreno comum e a
impedância de entrada desse amplificador é igual a RG.
Q548421
Engenharia Eletrônica
Julgue o item seguinte, referente aos amplificadores mostrados nas figuras I, II e III.
O circuito da figura II é um amplificador na configuração base
comum, e o seu ganho de corrente é menor que 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
DPF
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - Polícia Federal - Perito Criminal Federal - Cargo 2 |
Q546695
Engenharia Eletrônica
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Q538784
Engenharia Eletrônica
O IGBT é um
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Innova
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Innova - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica |
Q500672
Engenharia Eletrônica
O circuito eletrônico mostrado na Figura acima está polarizado com todos os componentes calculados para funcionar de acordo com a reta de carga traçada sobre a curva característica do transistor bipolar NPN.
Considerando I c = 6 mA e com base no circuito e no Gráfico da reta de carga, o valor, em Ω, do resistor RE é
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Polícia Federal
Prova:
CESPE - 2013 - Polícia Federal - Perito Criminal Federal - Cargo 2 |
Q491358
Engenharia Eletrônica
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Ano: 2015
Banca:
FGV
Órgão:
TJ-BA
Prova:
FGV - 2015 - TJ-BA - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q467964
Engenharia Eletrônica
O conversor CC-CC apresentado na figura abaixo possui característica de transferência do tipo abaixadora-elevadora de tensão.
Esse conversor é do tipo:
Esse conversor é do tipo:
Ano: 2014
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Engenheiro(a) de Equipamentos Júnior - Eletrônica |
Q462965
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No circuito abaixo, considere que o transistor Q1 apresenta uma tensão VEB = 0,7 V quando a junção base-emissor está diretamente polarizada, e que o seu parâmetro β é muito grande. Considere também o Gráfico da evolução no tempo da tensão VB aplicada à base do transistor Q1 .
O Gráfico da corrente I R2 que circula pelo resistor R2 será
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