Questões de Concurso
Sobre transistor em engenharia eletrônica
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No circuito analógico abaixo, que contém um transistor bipolar de junção do tipo NPN polarizado no modo ativo, a tensão entre coletor e emissor é superior a 8 V e inferior a 10 V.
Analise a composição do circuito de controle de potência, representado abaixo.
Sobre a funcionalidade dos elementos que compõem o circuito, é correto afirmar:
Considere a figura abaixo:
Os componentes que constituem a interface de potência do circuito são:
No que se refere aos circuitos lógicos, julgue o item a seguir.
Quando a entrada A do circuito mostrado na figura abaixo for 5 V, a saída Y será nula.
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
Se RC = 3 kΩ e a corrente no coletor, igual a 2 mA, então a Ω tensão entre o coletor e o emissor é 3V.
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
Para que o transistor sature com corrente de coletor igual a 40 mA, o valor da resistência RC deve ser igual a 250 Ω .
Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.
A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no
coletor.
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de
campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor
bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de
duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três
terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao
SCR pode ser representado pela associação de um transistor
PNP com um NPN.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
Se vI
(t) > 0, então vO(t) > 0.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
O parâmetro RE não influencia no ganho de transcondutância
iL(t)/vI
(t) do circuito.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
Em análise do circuito pelo método dos nós, observa-se que
existem duas restrições em relação a dois nós, excetuando-se
o nó de terra.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.
A impedância de Norton vista à esquerda da seta S1 é dada por
GRL.
A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo
de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção.
Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado
no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI
(t) e à carga RL
nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações,
julgue o seguinte item.
O ganho de tensão que relaciona as tensões de saída vO(t) eentrada vI(t) é dado por -RLG.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o transistor operará no modo de corte.
Considere que o circuito apresentado abaixo represente um espelho de corrente construído em tecnologia MOS. Nessa situação, se VSS = 15V, IREF = 150 μA e os parâmetros dos transistores são Kn = 250 μA/V2,VTN = 1V e λ = 0,0133V-1 , é correto afirmar que a corrente de saída IO será superior a 170 μA, desconsiderando-se a parte fracionária do resultado e utilizando-se √1,2=1,1
. Para esse sinal, 
= 5,0 V representa nível lógico ALTO, e 
= 0,0 V representa nível lógico BAIXO. Nesse circuito, considere que o transistor possui um ganho ß = 100, apresenta 
= 0,7 V quando em condução e 
= 0,2 V quando operando em saturação. Já o LED apresenta uma queda de tensão de 1,5 V quando estiver conduzindo corrente elétrica.
Portanto, o nível lógico do sinal
que faz o LED acender e o valor da corrente elétrica 
, em miliampères, nessa circunstância são, respectivamente: 
Ao aplicar uma fonte de tensão
a uma junção PN, conforme mostrado na Figura acima, se a tensão for 
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura I, o ganho de tensão da entrada para a saída é igual a 10.
As figuras I, II e III acima apresentam circuitos amplificadores, nos quais vi (t) e v0(t) são, respectivamente, os sinais de entrada e de saída. No circuito da figura III, considere que o transistor está polarizado na região ativa e os capacitores são tais que sua impedância é desprezível na faixa de passagem do sinal a ser amplificado. A partir dessas informações, julgue o próximo item.
No circuito da figura III, como o transistor está operando na região ativa, ambas as junções base-emissor e coletor-base estão polarizadas diretamente.
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